Im Vergleich zu Aufdampf- und Sputterplattierung besteht das wichtigste Merkmal der Ionenplattierung darin, dass energiereiche Ionen während der Abscheidung das Substrat und die Schicht beschießen. Der Beschuss mit geladenen Ionen bewirkt eine Reihe von Effekten, die im Wesentlichen folgende sind.
① Die starke Membran-/Substrat-Haftung verhindert ein Ablösen der Filmschicht durch Ionenbeschuss des Substrats infolge des Sputtereffekts. Dadurch wird das Substrat gereinigt, aktiviert und erhitzt, um nicht nur adsorbierte Gase und Verunreinigungen von der Substratoberfläche zu entfernen, sondern auch Oberflächenoxide abzutragen. Der Ionenbeschuss führt zu Erhitzung und Defektbildung durch die verstärkte Diffusion im Substrat. Dies verbessert die Kristallinität der Oberflächenschicht und schafft die Voraussetzungen für die Bildung von Legierungsphasen. Hochenergetischer Ionenbeschuss bewirkt zudem eine gewisse Ionenimplantation und einen Ionenstrahl-Mischeffekt.
② Bei der Ionenbeschichtung wird aufgrund der guten Durchlässigkeit der Strahlung bei höherem Druck (größer oder gleich 1 Pa) die ionisierte Dampfionen oder -moleküle auf ihrem Weg zum Substrat ionisiert, bevor die Gasmoleküle eine Reihe von Kollisionen erfahren. Dadurch können sich die Filmpartikel auf dem Substrat verteilen, was die Abdeckung der Filmschicht verbessert. Außerdem werden die ionisierten Filmpartikel unter Einwirkung des elektrischen Feldes auf der Oberfläche des Substrats mit negativer Spannung an jeder beliebigen Stelle auf der Oberfläche des Substrats mit negativer Spannung abgeschieden, was durch Aufdampfplattierung nicht erreicht werden kann.
–Dieser Artikel wurde veröffentlicht vonHersteller von VakuumbeschichtungsmaschinenGuangdong Zhenhua
Veröffentlichungsdatum: 12. Januar 2024