Công nghệ lắng đọng chùm ion

① Công nghệ lắng đọng hỗ trợ chùm ion có đặc điểm là độ bám dính mạnh giữa màng và chất nền, lớp màng rất bền. Các thí nghiệm đã chỉ ra rằng: lắng đọng hỗ trợ chùm ion có độ bám dính cao hơn lắng đọng hơi nhiệt gấp nhiều lần đến hàng trăm lần, lý do chủ yếu là do sự bắn phá ion trên bề mặt có hiệu ứng làm sạch, do đó giao diện đế màng hình thành cấu trúc giao diện gradient hoặc lớp chuyển tiếp lai, cũng như giảm ứng suất của màng.

② Lắng đọng hỗ trợ chùm ion có thể cải thiện tính chất cơ học của màng, kéo dài tuổi thọ mỏi, rất thích hợp cho việc chế tạo lớp phủ oxit, cacbua, BN khối, TiB: và kim cương. Ví dụ, trong thép chịu nhiệt 1Crl8Ni9Ti khi sử dụng công nghệ lắng đọng hỗ trợ chùm ion để phát triển SiN 200nm, màng mỏng, không chỉ có thể ức chế sự xuất hiện của vết nứt mỏi trên bề mặt vật liệu, mà còn có thể làm giảm đáng kể tốc độ khuếch tán vết nứt mỏi, kéo dài tuổi thọ của nó có tác dụng tốt.

③ Lắng đọng chùm ion có thể thay đổi bản chất ứng suất của màng và thay đổi cấu trúc tinh thể của nó. Ví dụ, việc chuẩn bị màng Cr bằng cách bắn phá bề mặt chất nền Xe + hoặc Ar + 11,5keV, phát hiện ra rằng việc điều chỉnh nhiệt độ chất nền, năng lượng ion bắn phá, tỷ lệ ion và nguyên tử đến và các thông số khác, có thể làm cho ứng suất từ ​​ứng suất kéo sang ứng suất nén, cấu trúc tinh thể của màng cũng sẽ tạo ra những thay đổi. Dưới một tỷ lệ ion so với nguyên tử nhất định, lắng đọng chùm ion có định hướng chọn lọc tốt hơn so với lớp màng được lắng đọng bằng lắng đọng hơi nhiệt.

④ Lắng đọng hỗ trợ chùm ion có thể tăng cường khả năng chống ăn mòn và chống oxy hóa của màng. Vì lắng đọng hỗ trợ chùm ion của lớp màng dày đặc, cấu trúc giao diện đế màng được cải thiện hoặc hình thành trạng thái vô định hình do ranh giới hạt giữa các hạt biến mất, có lợi cho việc tăng cường khả năng chống ăn mòn và chống oxy hóa của vật liệu.

Tăng cường khả năng chống ăn mòn của vật liệu và chống lại tác động oxy hóa của nhiệt độ cao.

(5) Lắng đọng hỗ trợ chùm ion có thể thay đổi các tính chất điện từ của màng và cải thiện hiệu suất của màng mỏng quang học. (6) Lắng đọng hỗ trợ ion cho phép phát triển nhiều màng mỏng khác nhau ở nhiệt độ thấp và tránh các tác động bất lợi lên vật liệu hoặc các bộ phận chính xác sẽ gây ra do xử lý ở nhiệt độ cao, vì các thông số liên quan đến lắng đọng nguyên tử và cấy ion có thể được điều chỉnh chính xác và độc lập, và lớp phủ có kích thước vài micromet với thành phần đồng nhất có thể được tạo ra liên tục ở năng lượng bắn phá thấp.