Bienvenue chez Guangdong Zhenhua Technology Co., Ltd.
bannière unique

Technologie de dépôt par faisceau d'ions

Source de l'article : Zhenhua Vacuum
Lire : 10
Publié le : 24-03-07

① La technologie de dépôt assisté par faisceau d'ions se caractérise par une forte adhérence entre le film et le substrat, la couche de film étant très résistante. Des expériences ont montré que l'adhérence obtenue par dépôt assisté par faisceau d'ions est plusieurs fois supérieure à celle obtenue par dépôt thermique en phase vapeur. Ceci est principalement dû à l'effet nettoyant du bombardement ionique sur la surface, permettant ainsi la formation d'une structure interfaciale à gradient, ou couche de transition hybride, à l'interface de la membrane, et réduisant les contraintes exercées sur celle-ci.

0946470442b660bc06d330283b9fe9e

② Le dépôt assisté par faisceau d'ions permet d'améliorer les propriétés mécaniques du film, d'allonger sa durée de vie en fatigue et convient particulièrement bien à la préparation d'oxydes, de carbures, de BN cubique, de TiB et de revêtements de type diamant. Par exemple, sur un acier réfractaire 1Crl8Ni9Ti, la croissance d'un film mince de SiN de 200 nm par dépôt assisté par faisceau d'ions permet non seulement d'inhiber l'apparition de fissures de fatigue en surface, mais aussi de réduire significativement la vitesse de propagation de ces fissures, contribuant ainsi à prolonger la durée de vie du matériau.

③ Le dépôt assisté par faisceau d'ions peut modifier la nature des contraintes du film et sa structure cristalline. Par exemple, lors de la préparation d'un film de Cr par bombardement de la surface du substrat avec des ions Xe+ ou Ar+ de 11,5 keV, il a été constaté que l'ajustement de la température du substrat, de l'énergie des ions de bombardement, du rapport ions/atomes et d'autres paramètres permet de faire passer les contraintes de traction à compression, ce qui modifie également la structure cristalline du film. Pour un certain rapport ions/atomes, le dépôt assisté par faisceau d'ions présente une meilleure orientation sélective que la couche membranaire déposée par dépôt thermique en phase vapeur.

④ Le dépôt assisté par faisceau d'ions peut améliorer la résistance à la corrosion et à l'oxydation de la membrane. Grâce à la densité de la couche déposée, l'amélioration de la structure de l'interface de base de la membrane ou la formation d'un état amorphe due à la disparition des joints de grains entre les particules contribuent à renforcer la résistance à la corrosion et à l'oxydation du matériau.

Améliorer la résistance à la corrosion du matériau et résister à l'effet oxydant des hautes températures.

(5) Le dépôt assisté par faisceau d'ions permet de modifier les propriétés électromagnétiques du film et d'améliorer les performances des couches minces optiques. (6) Le dépôt assisté par ions permet la croissance de diverses couches minces à basse température et évite les effets néfastes sur les matériaux ou les pièces de précision qui seraient causés par un traitement à haute température. En effet, les paramètres liés au dépôt atomique et à l'implantation ionique peuvent être ajustés avec précision et indépendamment, et des revêtements de quelques micromètres d'épaisseur et de composition homogène peuvent être générés en continu à de faibles énergies de bombardement.


Date de publication : 7 mars 2024