① आयन बीम सहाय्यित निक्षेपण तंत्रज्ञानाचे वैशिष्ट्य म्हणजे फिल्म आणि सब्सट्रेटमधील मजबूत आसंजन, ज्यामुळे फिल्मचा थर खूप मजबूत असतो. प्रयोगांनी हे दाखवून दिले आहे की: थर्मल व्हेपर निक्षेपणाच्या तुलनेत आयन बीम सहाय्यित निक्षेपणाचे आसंजन अनेक पटींपासून ते शेकडो पटींपर्यंत वाढते. याचे मुख्य कारण म्हणजे आयन बॉम्बार्डमेंटमुळे पृष्ठभागावर होणारा स्वच्छतेचा परिणाम, ज्यामुळे मेम्ब्रेन-बेस इंटरफेसवर एक ग्रॅडियंट इंटरफेशियल स्ट्रक्चर किंवा हायब्रीड ट्रान्झिशन लेयर तयार होतो, तसेच मेम्ब्रेनवरील ताण कमी होतो.
② आयन बीम असिस्टेड डिपॉझिशनमुळे फिल्मचे यांत्रिक गुणधर्म सुधारतात, फॅटीग लाइफ वाढते आणि हे तंत्रज्ञान ऑक्साइड, कार्बाइड, क्यूबिक बीएन, टीआयबी आणि डायमंड-लाइक कोटिंग्ज तयार करण्यासाठी अत्यंत उपयुक्त आहे. उदाहरणार्थ, 1Crl8Ni9Ti उष्णतारोधक स्टीलवर आयन बीम-असिस्टेड डिपॉझिशन तंत्रज्ञानाचा वापर करून 200nm SiN चा पातळ थर तयार केल्यास, तो केवळ पदार्थाच्या पृष्ठभागावर फॅटीग क्रॅक तयार होण्यास प्रतिबंध करत नाही, तर फॅटीग क्रॅकचा प्रसार दर देखील लक्षणीयरीत्या कमी करतो, ज्यामुळे त्याचे आयुष्य वाढण्यास चांगली मदत होते.
③ आयन बीम सहाय्यित निक्षेपणामुळे फिल्मच्या ताणाचे स्वरूप आणि तिच्या स्फटिकीय संरचनेत बदल होऊ शकतो. उदाहरणार्थ, सब्सट्रेटच्या पृष्ठभागावर ११.५ keV Xe+ किंवा Ar+ चा मारा करून Cr फिल्म तयार करताना असे आढळून आले की, सब्सट्रेटचे तापमान, मारा करणाऱ्या आयनची ऊर्जा, आयन आणि अणूंच्या आगमनाचे प्रमाण आणि इतर पॅरामीटर्समध्ये बदल करून, ताण हा ताणजन्य ताणापासून संपीडन ताणापर्यंत बदलता येतो, आणि त्यामुळे फिल्मच्या स्फटिकीय संरचनेतही बदल घडून येतात. आयन आणि अणूंच्या एका विशिष्ट गुणोत्तराखाली, आयन बीम सहाय्यित निक्षेपणामध्ये, थर्मल व्हेपर निक्षेपणाद्वारे जमा केलेल्या मेम्ब्रेन लेयरपेक्षा अधिक चांगले निवडक अभिमुखन (selective orientation) असते.
④ आयन बीम सहाय्यित निक्षेपणामुळे पडद्याचा क्षरण प्रतिरोध आणि ऑक्सिडेशन प्रतिरोध वाढू शकतो. आयन बीम सहाय्यित निक्षेपणामुळे पडद्याचा थर दाट होत असल्याने, कणांमधील कणसीमा नाहीशी झाल्यामुळे पडद्याच्या तळाच्या आंतरपृष्ठ संरचनेत सुधारणा होते किंवा अस्फटिकी अवस्थेची निर्मिती होते, जे पदार्थाचा क्षरण प्रतिरोध आणि ऑक्सिडेशन प्रतिरोध वाढवण्यासाठी अनुकूल ठरते.
पदार्थाची गंजरोधकता वाढवा आणि उच्च तापमानाच्या ऑक्सिडीकरण परिणामास प्रतिकार करा.
(5) आयन बीम सहाय्यित निक्षेपणामुळे फिल्मचे विद्युतचुंबकीय गुणधर्म बदलू शकतात आणि ऑप्टिकल पातळ फिल्म्सची कार्यक्षमता सुधारू शकते. (6) आयन-सहाय्यित निक्षेपणामुळे कमी तापमानात विविध पातळ फिल्म्सची वाढ करणे शक्य होते आणि उच्च तापमानातील प्रक्रियेमुळे सामग्री किंवा अचूक भागांवर होणारे प्रतिकूल परिणाम टाळता येतात, कारण अणू निक्षेपण आणि आयन रोपणाशी संबंधित पॅरामीटर्स अचूकपणे आणि स्वतंत्रपणे समायोजित केले जाऊ शकतात, आणि कमी बॉम्बार्डमेंट ऊर्जेवर सुसंगत रचनेसह काही मायक्रोमीटरचे लेप सतत तयार केले जाऊ शकतात.
पोस्ट करण्याची वेळ: ०७-मार्च-२०२४