Teknolohiya sa Pagdeposito sa Ion Beam

① Ang teknolohiya sa ion beam assisted deposition gihulagway pinaagi sa kusog nga pagdikit tali sa pelikula ug sa substrate, ang layer sa pelikula lig-on kaayo. Gipakita sa mga eksperimento nga: ang pagdikit sa ion beam assisted deposition mas taas kaysa sa pagdikit sa thermal vapor deposition, ug kini tungod sa epekto sa paglimpyo sa ibabaw sa ion bombardment, nga nagporma og gradient interfacial structure, o hybrid transition layer, ug nagpakunhod sa stress sa lamad.

② Ang ion beam assisted deposition makapauswag sa mekanikal nga mga kabtangan sa pelikula, makapalugway sa kinabuhi sa kakapoy, ug angay kaayo alang sa pag-andam sa mga oxide, carbides, cubic BN, TiB: ug diamond-like coatings. Pananglitan, sa 1Crl8Ni9Ti heat-resistant steel, ang paggamit sa ion beam-assisted deposition technology aron motubo ang 200nm SiN, ang nipis nga pelikula dili lamang makapugong sa pagtungha sa mga liki sa kakapoy sa ibabaw sa materyal, apan mahimo usab nga makunhuran pag-ayo ang rate sa pagsabwag sa kakapoy, ug ang pagpalugway sa kinabuhi niini adunay maayong papel.

③ Ang ion beam assisted deposition makausab sa stress nature sa film ug sa crystalline structure niini. Pananglitan, ang pag-andam sa Cr film nga adunay 11.5keV Xe+ o Ar+ bombardment sa substrate surface, nakit-an nga ang pag-adjust sa substrate temperature, bombardment ion energy, ion ug atom arrival ratio ug uban pang mga parameter, makahimo sa stress gikan sa tensile ngadto sa compressive stress, ang crystal structure sa film makamugna usab og mga pagbag-o. Ubos sa usa ka piho nga ratio sa ions ngadto sa atoms, ang ion beam assisted deposition adunay mas maayo nga selective orientation kaysa sa membrane layer nga gideposito sa thermal vapor deposition.

④ Ang ion beam assisted deposition makapausbaw sa resistensya sa kaagnasan ug resistensya sa oksihenasyon sa lamad. Tungod kay dasok ang ion beam assisted deposition sa membrane layer, mouswag ang istruktura sa membrane base interface o moporma og amorphous state tungod sa pagkawala sa grain boundary tali sa mga partikulo, nga makatabang sa pagpausbaw sa resistensya sa kaagnasan ug resistensya sa oksihenasyon sa materyal.

Pagpalambo sa resistensya sa kaagnasan sa materyal ug pagsukol sa epekto sa pag-oxidize sa taas nga temperatura.

(5) Ang ion beam assisted deposition makausab sa electromagnetic properties sa film ug makapauswag sa performance sa optical thin films. (6) Ang ion-assisted deposition nagtugot sa pagtubo sa lain-laing thin films sa ubos nga temperatura ug makalikay sa dili maayong epekto sa mga materyales o precision parts nga mahimong hinungdan sa treatment sa taas nga temperatura, tungod kay ang mga parameter nga may kalabutan sa atomic deposition ug ion implantation mahimong ma-adjust sa tukma ug independente, ug ang mga coatings nga pipila ka micrometers nga adunay makanunayon nga komposisyon mahimong padayon nga ma-generate sa ubos nga bombardment energies.