Вакуумное ионное напыление (также называемое ионным осаждением) было предложено в США в 1963 году компанией Somdia DM Mattox, а в 1970-х годах произошло стремительное развитие новой технологии обработки поверхностей. Она подразумевает использование источника испарения или мишени для распыления в вакуумной атмосфере, в результате чего пленочный материал испаряется или распыляется, а часть частиц в газоразрядном пространстве ионизируется в ионы металла.
Эти частицы осаждаются на подложке под действием электрического поля, что приводит к образованию тонкой пленки.
Вакуумное ионное напыление бывает разных типов, обычно в зависимости от материала мембраны, используемой в качестве источника ионов, делится на два вида: ионное напыление с использованием испарительного источника и ионное напыление с использованием распыляющей мишени. В первом случае пленочный материал испаряется путем нагревания для образования паров металла, которые частично ионизируются в пространстве газового разряда на пары металла и высокоэнергетические нейтральные атомы, и под действием электрического поля достигают подложки, образуя тонкие пленки; во втором случае используется бомбардировка поверхности пленочного материала высокоэнергетическими ионами (например, Ar+), которые распыляются в пространстве газового разряда, ионизируясь на ионы или высокоэнергетические нейтральные атомы, достигая поверхности подложки и образуя пленку.
– Данная статья опубликованапроизводитель вакуумных напыляемых машинГуандун Чжэньхуа
Дата публикации: 07 марта 2024 г.