El recubrimiento iónico al vacío (también conocido como deposición iónica) fue propuesto en Estados Unidos en 1963 por la empresa Somdia DM Mattox, y en la década de 1970 experimentó un rápido desarrollo como nueva tecnología de tratamiento de superficies. Consiste en el uso de una fuente de evaporación o un blanco de pulverización catódica en una atmósfera de vacío, de modo que el material de la película se evapora o pulveriza, liberando una parte de las partículas en el espacio de descarga de gas ionizadas en iones metálicos.
Estas partículas se depositan sobre el sustrato bajo la acción de un campo eléctrico para generar un proceso de película delgada.
El recubrimiento iónico al vacío, que se realiza de diversas maneras, se divide generalmente en dos tipos según el material de la membrana que produce la fuente de iones: recubrimiento iónico por evaporación y recubrimiento iónico por pulverización catódica. El primero consiste en evaporar el material de la película calentándolo para producir vapores metálicos, que se ionizan parcialmente en vapores metálicos y átomos neutros de alta energía en el espacio del plasma de descarga de gas, y que, mediante la acción del campo eléctrico, alcanzan el sustrato para generar películas delgadas. El segundo consiste en bombardear la superficie del material de la película con iones de alta energía (por ejemplo, Ar+) para que las partículas se ionicen en el espacio de la descarga de gas, convirtiéndose en iones o átomos neutros de alta energía, que alcanzan la superficie del sustrato y generan la película.
–Este artículo es publicado porfabricante de máquinas de recubrimiento al vacíoGuangdong Zhenhua
Fecha de publicación: 7 de marzo de 2024