စပတ္တာအုပ်ခြင်းနည်းပညာ

၁။ ပွတ်တိုက်ဆေးရည်၏ အင်္ဂါရပ်များ
ရိုးရာ vacuum evaporation coating နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက sputtering coating တွင် အောက်ပါ အင်္ဂါရပ်များ ပါရှိသည်။
(၁) မည်သည့်ပစ္စည်းကိုမဆို အထူးသဖြင့် အရည်ပျော်မှတ်မြင့်မားခြင်း၊ အငွေ့ဖိအားနည်းသော ဒြပ်စင်များနှင့် ဒြပ်ပေါင်းများကို ဖြန်းနိုင်သည်။ ၎င်းသည် အစိုင်အခဲတစ်ခုဖြစ်သရွေ့၊ သတ္တု၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း၊ လျှပ်ကာပစ္စည်း၊ ဒြပ်ပေါင်းနှင့် အရောအနှောစသည်တို့ဖြစ်စေ၊ ဘလောက်တစ်ခုဖြစ်သည်ဖြစ်စေ အမှုန်အမွှားပစ္စည်းကို ပစ်မှတ်ပစ္စည်းအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်သည်။ အောက်ဆိုဒ်ကဲ့သို့သော လျှပ်ကာပစ္စည်းများနှင့် အလွိုင်းများကို ဖြန်းသောအခါ ပြိုကွဲမှုနှင့် အပိုင်းအစအနည်းငယ်သာ ဖြစ်ပေါ်သောကြောင့်၊ ၎င်းတို့ကို ပစ်မှတ်ပစ္စည်းနှင့်ဆင်တူသော တူညီသောအစိတ်အပိုင်းများပါရှိသော အလွှာပါးများနှင့် အလွိုင်းဖလင်များနှင့် ရှုပ်ထွေးသော ပေါင်းစပ်ဖွဲ့စည်းမှုများပါရှိသော superconducting ဖလင်များကိုပင် ပြင်ဆင်ရန် အသုံးပြုနိုင်သည်။ ထို့အပြင်၊ reactive sputtering နည်းလမ်းကို အောက်ဆိုဒ်များ၊ နိုက်ထရိုက်များ၊ ကာဗိုက်များနှင့် ဆီလီကိုက်များကဲ့သို့သော ပစ်မှတ်ပစ္စည်းနှင့် လုံးဝကွဲပြားသော ဒြပ်ပေါင်းများ၏ ဖလင်များကို ထုတ်လုပ်ရန်လည်း အသုံးပြုနိုင်သည်။
(၂) ဖြန်းထားသော ဖလင်နှင့် အောက်ခံကြားတွင် ကောင်းမွန်သော ကပ်ငြိမှု။ ဖြန်းထားသော အက်တမ်များ၏ စွမ်းအင်သည် အငွေ့ပျံနေသော အက်တမ်များထက် ၁-၂ ဆ ပိုမိုမြင့်မားသောကြောင့် အောက်ခံပေါ်တွင် စုပုံထားသော မြင့်မားသော စွမ်းအင်အမှုန်များ၏ စွမ်းအင်ပြောင်းလဲမှုသည် ပိုမိုမြင့်မားသော အပူစွမ်းအင်ကို ထုတ်ပေးပြီး ဖြန်းထားသော အက်တမ်များ၏ အောက်ခံနှင့် ကပ်ငြိမှုကို မြှင့်တင်ပေးသည်။ မြင့်မားသော စွမ်းအင်ဖြန်းထားသော အက်တမ်များ၏ အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုကို မတူညီသော အတိုင်းအတာများဖြင့် ထိုးသွင်းမည်ဖြစ်ပြီး ဖြန်းထားသော အက်တမ်များနှင့် အောက်ခံပစ္စည်း၏ အက်တမ်များသည် တစ်ခုနှင့်တစ်ခု “ရောနှော” နိုင်သည့် အောက်ခံပေါ်တွင် pseudo-diffusion အလွှာဟုခေါ်သော အလွှာတစ်ခုကို ဖွဲ့စည်းပေးမည်ဖြစ်သည်။ ထို့အပြင်၊ ဖြန်းထားသော အမှုန်များကို ဗုံးကြဲနေစဉ်အတွင်း အောက်ခံသည် plasma ဇုန်တွင် အမြဲတမ်း သန့်စင်ပြီး အသက်ဝင်နေပြီး ကပ်ငြိမှု ညံ့ဖျင်းသော အက်တမ်များကို ဖယ်ရှားကာ အောက်ခံမျက်နှာပြင်ကို သန့်စင်ပြီး အသက်ဝင်စေသည်။ ရလဒ်အနေဖြင့် ဖြန်းထားသော ဖလင်အလွှာသည် အောက်ခံနှင့် ကပ်ငြိမှုကို များစွာ မြှင့်တင်ပေးပါသည်။
(3) sputter coating သိပ်သည်းဆမြင့်မားခြင်း၊ အပေါက်ငယ်များနည်းပါးခြင်းနှင့် film layer ပိုမိုသန့်ရှင်းစင်ကြယ်ခြင်း၊ crucible contamination မရှိခြင်း၊ sputter coating လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း vacuum vapor deposition တွင် မလွှဲမရှောင်သာဖြစ်တတ်ပါသည်။
(၄) ဖလင်အထူကို ကောင်းမွန်စွာ ထိန်းချုပ်နိုင်ပြီး ထပ်ခါတလဲလဲ လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။ sputter coating လုပ်နေစဉ်အတွင်း discharge current နှင့် target current ကို သီးခြားစီ ထိန်းချုပ်နိုင်သောကြောင့် flim thickness ကို target current ကို ထိန်းချုပ်ခြင်းဖြင့် ထိန်းချုပ်နိုင်သောကြောင့် sputter coating ကို အကြိမ်ကြိမ် sputtering လုပ်ခြင်းဖြင့် ဖလင်အထူကို ထိန်းချုပ်နိုင်ခြင်းနှင့် ဖလင်အထူကို ပြန်လည်ထုတ်လုပ်နိုင်ခြင်းသည် ကောင်းမွန်ပြီး ကြိုတင်သတ်မှတ်ထားသော အထူဖလင်ကို ထိရောက်စွာ coated လုပ်နိုင်သည်။ ထို့အပြင် sputter coating သည် ဧရိယာကျယ်တစ်ခုတွင် တစ်ပြေးညီ ဖလင်အထူကို ရရှိနိုင်သည်။ သို့သော် ယေဘုယျ sputter coating နည်းပညာ (အဓိကအားဖြင့် dipole sputtering) အတွက် စက်ပစ္စည်းများသည် ရှုပ်ထွေးပြီး မြင့်မားသောဖိအားပေးသည့် စက်ပစ္စည်းများ လိုအပ်ပါသည်။ sputter deposition ၏ ဖလင်ဖွဲ့စည်းမှုအမြန်နှုန်းသည် နိမ့်ပြီး vacuum evaporation deposition rate သည် 0.1~5nm/min ရှိပြီး sputtering rate သည် 0.01~0.5nm/min ဖြစ်သည်။ substrate အပူချိန်မြင့်တက်လာမှု မြင့်မားပြီး မသန့်စင်သောဓာတ်ငွေ့စသည်တို့ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ သို့သော် RF sputtering နှင့် magnetron sputtering နည်းပညာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကြောင့် sputtering deposition ကို မြန်ဆန်စွာ ရရှိစေခြင်းနှင့် substrate အပူချိန်ကို လျှော့ချခြင်းတွင် ကြီးမားသောတိုးတက်မှုများ ရရှိခဲ့သည်။ ထို့အပြင်၊ မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း၊ sputtering အတွင်း intake gas ၏ဖိအားသည် သုညဖြစ်မည့် zero-pressure sputtering အထိ sputtering လေဖိအားကို လျှော့ချရန်အတွက် planar magnetron sputtering ကိုအခြေခံ၍ sputtering နည်းလမ်းအသစ်များကို လေ့လာလျက်ရှိသည်။