1, Mga Kinaiya sa sputter coating
Kon itandi sa naandan nga vacuum evaporation coating, ang sputtering coating adunay mosunod nga mga bahin:
(1) Bisan unsang substansiya mahimong i-sputtering, labi na ang mga elemento ug compound nga taas og melting point, ubos og vapor pressure. Basta kini solid, metal man, semiconductor, insulator, compound ug mixture, ug uban pa, bloke man, ang granular nga materyal mahimong gamiton isip target nga materyal. Tungod kay gamay ra ang decomposition ug fractionation nga mahitabo sa pag-sputtering sa mga insulating material ug alloys sama sa oxides, magamit kini sa pag-andam og nipis nga mga film ug alloy film nga adunay parehas nga mga component nga susama sa target nga materyal, ug bisan ang mga superconducting film nga adunay komplikado nga mga komposisyon.´ Dugang pa, ang reactive sputtering method magamit usab sa paghimo og mga film sa mga compound nga lahi kaayo sa target nga materyal, sama sa oxides, nitrides, carbides ug silicides.
(2) Maayong pagdikit tali sa sputtered film ug sa substrate. Tungod kay ang enerhiya sa sputtered atoms 1-2 ka order sa magnitude nga mas taas kay sa evaporated atoms, ang energy conversion sa high-energy particles nga nadeposito sa substrate makamugna og mas taas nga thermal energy, nga makapausbaw sa pagdikit sa sputtered atoms sa substrate. Ang usa ka bahin sa high-energy sputtered atoms i-inject sa lain-laing degree, nga maporma ang gitawag nga pseudo-diffusion layer sa substrate diin ang sputtered atoms ug ang mga atoms sa substrate material "mixable" sa usag usa. Dugang pa, atol sa pagpamomba sa sputtering particles, ang substrate kanunay nga gilimpyohan ug gi-activate sa plasma zone, nga nagtangtang sa dili maayo nga pagdikit sa precipitated atoms, nagputli ug nag-activate sa substrate surface. Tungod niini, ang pagdikit sa sputtered film layer sa substrate mas gipausbaw.
(3) Taas nga densidad sa sputter coating, gamay nga pinholes, ug mas taas nga kaputli sa film layer tungod kay walay crucible contamination, nga dili malikayan sa vacuum vapor deposition atol sa proseso sa sputter coating.
(4) Maayong pagkontrol ug pagkabalik-balik sa gibag-on sa pelikula. Tungod kay ang discharge current ug target current mahimong makontrol nga gilain atol sa sputter coating, ang gibag-on sa pelikula mahimong makontrol pinaagi sa pagkontrol sa target current, busa, ang pagkontrol sa gibag-on sa pelikula ug ang pagkabalik-balik sa gibag-on sa pelikula pinaagi sa multiple sputtering sa sputter coating maayo, ug ang pelikula nga adunay gitakda nang daan nga gibag-on mahimong epektibong ma-coat. Dugang pa, ang sputter coating makakuha og parehas nga gibag-on sa pelikula sa usa ka dako nga lugar. Bisan pa, alang sa kinatibuk-ang teknolohiya sa sputter coating (kasagaran dipole sputtering), ang kagamitan komplikado ug nanginahanglan og high pressure device; ang katulin sa pagporma sa pelikula sa sputter deposition ubos, ang vacuum evaporation deposition rate kay 0.1~5nm/min, samtang ang sputtering rate kay 0.01~0.5nm/min; ang pagtaas sa temperatura sa substrate taas ug daling maapektuhan sa impurity gas, ug uban pa. Bisan pa, tungod sa pag-uswag sa RF sputtering ug magnetron sputtering technology, dako nga pag-uswag ang nakab-ot sa pagkab-ot sa paspas nga sputtering deposition ug pagkunhod sa temperatura sa substrate. Dugang pa, sa bag-ohay nga mga tuig, ang mga bag-ong pamaagi sa sputter coating gisusi – base sa planar magnetron sputtering – aron maminusan ang sputtering air pressure hangtod sa zero-pressure sputtering diin ang pressure sa intake gas atol sa sputtering mahimong zero.
Oras sa pag-post: Nob-08-2022