1, Ciri-ciri salutan percikan
Berbanding dengan salutan penyejatan vakum konvensional, salutan percikan mempunyai ciri-ciri berikut:
(1) Sebarang bahan boleh dispersi, terutamanya unsur dan sebatian takat lebur tinggi, tekanan wap rendah. Selagi ia pepejal, sama ada logam, semikonduktor, penebat, sebatian dan campuran, dan sebagainya, sama ada blok, bahan berbutir boleh digunakan sebagai bahan sasaran. Memandangkan penguraian dan pecahan yang sedikit berlaku apabila mespersi bahan penebat dan aloi seperti oksida, ia boleh digunakan untuk menyediakan filem nipis dan filem aloi dengan komponen seragam yang serupa dengan bahan sasaran, dan juga filem superkonduktor dengan komposisi kompleks.´ Di samping itu, kaedah pemersi reaktif juga boleh digunakan untuk menghasilkan filem sebatian yang sama sekali berbeza daripada bahan sasaran, seperti oksida, nitrida, karbida dan silisida.
(2) Lekatan yang baik antara filem terpercik dan substrat. Oleh kerana tenaga atom terpercik adalah 1-2 peringkat magnitud lebih tinggi daripada atom tersejat, penukaran tenaga zarah bertenaga tinggi yang termendap pada substrat menghasilkan tenaga haba yang lebih tinggi, yang meningkatkan lekatan atom terpercik pada substrat. Sebahagian daripada atom terpercik bertenaga tinggi akan disuntik pada pelbagai peringkat, membentuk lapisan pseudo-resapan yang dipanggil pada substrat di mana atom terpercik dan atom bahan substrat "boleh bercampur" antara satu sama lain. Di samping itu, semasa pengeboman zarah terpercik, substrat sentiasa dibersihkan dan diaktifkan dalam zon plasma, yang membuang atom termendak yang tidak melekat dengan baik, membersihkan dan mengaktifkan permukaan substrat. Hasilnya, lekatan lapisan filem terpercik pada substrat dipertingkatkan dengan ketara.
(3) Ketumpatan salutan percikan yang tinggi, lubang kecil yang kurang, dan ketulenan lapisan filem yang lebih tinggi kerana tiada pencemaran mangkuk pijar, yang tidak dapat dielakkan dalam pemendapan wap vakum semasa proses salutan percikan.
(4) Kebolehkawalan dan pengulangan ketebalan filem yang baik. Memandangkan arus nyahcas dan arus sasaran boleh dikawal secara berasingan semasa salutan sputter, ketebalan filem boleh dikawal dengan mengawal arus sasaran, justeru, kebolehkawalan ketebalan filem dan kebolehulangan ketebalan filem melalui sputtering berganda salutan sputter adalah baik, dan filem dengan ketebalan yang telah ditentukan boleh disalut dengan berkesan. Di samping itu, salutan sputter boleh mendapatkan ketebalan filem yang seragam di kawasan yang luas. Walau bagaimanapun, untuk teknologi salutan sputter umum (terutamanya sputtering dipol), peralatannya rumit dan memerlukan peranti tekanan tinggi; kelajuan pembentukan filem pemendapan sputter adalah rendah, kadar pemendapan penyejatan vakum ialah 0.1~5nm/min, manakala kadar sputtering ialah 0.01~0.5nm/min; peningkatan suhu substrat adalah tinggi dan terdedah kepada gas bendasing, dsb. Walau bagaimanapun, disebabkan oleh perkembangan teknologi sputtering RF dan sputtering magnetron, kemajuan besar telah diperoleh dalam mencapai pemendapan sputtering yang pantas dan mengurangkan suhu substrat. Tambahan pula, dalam beberapa tahun kebelakangan ini, kaedah salutan percikan baharu sedang disiasat – berdasarkan percikan magnetron satah – untuk meminimumkan tekanan udara percikan sehingga percikan tekanan sifar di mana tekanan gas pengambilan semasa percikan akan menjadi sifar.
Masa siaran: 8 Nov-2022