1, Features vun der Sputterbeschichtung
Am Verglach mat konventionell Vakuum Verdampfungsbeschichtung huet d'Sputterbeschichtung déi folgend Features:
(1) All Substanz kann sputtered ginn, besonnesch héije Schmelzpunkt, nidderegen Dampdruckelementer a Verbindungen.Soulaang et e Fest ass, egal ob et e Metall, Hallefleit, Isolator, Verbindung a Mëschung asw., Egal ob et e Block ass, kann granulär Material als Zilmaterial benotzt ginn.Well wéineg Zersetzung a Fraktionéierung geschitt beim Sputteren vun Isoléiermaterialien an Legierungen wéi Oxiden, kënne se benotzt ginn fir dënn Filmer an Legierungsfilmer mat eenheetleche Komponenten ähnlech wéi déi vum Zilmaterial ze preparéieren, a souguer Superleitungsfilmer mat komplexe Kompositioune. déi reaktiv Sputtermethod kann och benotzt ginn fir Filmer vu Verbindungen ze produzéieren déi komplett anescht sinn wéi d'Zilmaterial, wéi Oxiden, Nitriden, Karbiden a Siliziden.
(2) Gutt Adhäsioun tëscht dem gesputterte Film an dem Substrat.Zënter datt d'Energie vu sputtered Atomer 1-2 Uerderen vun der Gréisst méi héich ass wéi déi vun verdampte Atomer, generéiert d'Energiekonversioun vun héich-Energiepartikelen, déi op de Substrat deposéiert sinn, méi héich thermesch Energie, wat d'Adhäsioun vu sputtered Atomer zum Substrat verbessert.En Deel vun den héich-energesche sputtered Atomer gëtt a verschiddene Grad injizéiert, eng sougenannte Pseudo-Diffusiounsschicht op de Substrat bilden, wou d'Sputtered Atomer an d'Atomer vum Substratmaterial matenee "mëschbar" sinn.Ausserdeem, während der Bombardement vun de Sputterpartikelen, gëtt de Substrat ëmmer an der Plasma Zone gereinegt an aktivéiert, wat déi schlecht befestegt ausgefällt Atomer läscht, purifizéiert an aktivéiert d'Substratoberfläche.Als Resultat gëtt d'Adhäsioun vun der gesputterter Filmschicht op de Substrat staark verbessert.
(3) Héich Dicht vun der Sputterbeschichtung, manner Pinholes, a méi héich Rengheet vun der Filmschicht well et keng Crucible Kontaminatioun ass, wat onvermeidbar ass a Vakuum Dampdepositioun wärend dem Sputterbeschichtungsprozess.
(4) Gutt Kontrollbarkeet a Widderhuelbarkeet vun der Filmdicke.Zënter datt den Entladungsstroum an den Zilstroum separat während der Sputterbeschichtung kontrolléiert kënne ginn, kann d'Filmdicke kontrolléiert ginn andeems den Zilstroum kontrolléiert gëtt, also ass d'Kontrollbarkeet vun der Filmdicke an d'Reproduzibilitéit vun der Filmdicke duerch Multiple Sputtering vun der Sputterbeschichtung gutt. , an de Film vun der virbestëmmter Dicke kann effektiv beschichtet ginn.Zousätzlech kann d'Sputterbeschichtung eng eenheetlech Filmdicke iwwer e grousst Gebitt kréien.Wéi och ëmmer, fir allgemeng Sputterbeschichtungstechnologie (haaptsächlech Dipol Sputtering), ass d'Ausrüstung komplizéiert a erfuerdert Héichdrockapparat;d'Filmbildungsgeschwindegkeet vun der Sputterdepositioun ass niddereg, d'Vakuumverdampungsdepositiounsquote ass 0.1 ~ 5nm / min, während d'Sputteringquote 0.01 ~ 0.5nm / min ass;d'Substrattemperaturerhéijung ass héich a vulnérabel fir Gëftgas, etc. Wéi och ëmmer, wéinst der Entwécklung vu RF Sputtering a Magnetron Sputtering Technologie, gouf grouss Fortschrëtter kritt fir séier Sputterdepositioun z'erreechen an d'Substrattemperatur ze reduzéieren.Ausserdeem, an de leschte Joeren, ginn nei Sputterbeschichtungsmethoden ënnersicht - baséiert op ebenem Magnetronen-Sputtering - fir de Sputterluftdrock bis Null-Drock-Sputtering ze minimiséieren, wou den Drock vum Oflaafgas beim Sputteren null wäert sinn.
Post Zäit: Nov-08-2022