1. sputtering နှင့် plating insulation film အတွက် အကျိုးပြုသည်။ လျှပ်ကူးပစ္စည်းဝင်ရိုးစွန်းတွင် လျင်မြန်စွာပြောင်းလဲမှုကို insulating films ရရှိရန်အတွက် တိုက်ရိုက် sputter insulating ပစ်မှတ်များကို အသုံးပြုနိုင်သည်။ DC ပါဝါအရင်းအမြစ်ကို sputter နှင့် deposit insulation film တွင်အသုံးပြုပါက၊ insulation film သည် cathode အတွင်းသို့ အပြုသဘောဆောင်သော အိုင်းယွန်းများ ဝင်ရောက်ခြင်းမှ ပိတ်ဆို့ကာ ကွဲထွက်ပြီး မီးလောင်လွယ်သည့် positive ion accumulation layer ဖြစ်ပေါ်လာသည်။ anode တွင် insulating film တစ်ခုကို အပ်နှံပြီးနောက်၊ အီလက်ထရွန်များသည် anode အတွင်းသို့ ဝင်ရောက်ခြင်းမှ ပိတ်ဆို့ကာ anode ပျောက်ကွယ်သွားခြင်းဖြစ်စဉ်ကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ ခြားနားသော ဝင်ရိုးစွန်းများ ကြောင့် RF ပါဝါရင်းမြစ်ကို အသုံးပြုသောအခါ၊ လည်ပတ်မှု၏ ပထမတစ်ဝက်တွင် cathode တွင် စုဆောင်းထားသော အပြုသဘောဆောင်သော ဓာတ်အားများသည် လည်ပတ်မှု၏ ဒုတိယနှစ်ဝက်တွင် အီလက်ထရွန်များဖြင့် ပျက်ပြယ်သွားမည်ဖြစ်ပြီး anode ပေါ်တွင် စုဆောင်းထားသော အီလက်ထရွန်များကို အပြုသဘောဆောင်သော အိုင်းယွန်းများဖြင့် ကြားနေစေမည်ဖြစ်သည်။ ဒုတိယနှစ်ဝက်စက်ဝန်းရှိ ဆန့်ကျင်ဘက်လုပ်ငန်းစဉ်သည် လျှပ်ကူးပစ္စည်းပေါ်ရှိ စွဲချက်များကို ဖယ်ရှားနိုင်ပြီး ထုတ်လွှတ်သည့်လုပ်ငန်းစဉ်သည် ပုံမှန်အတိုင်း ဆက်လက်လုပ်ဆောင်နိုင်သည်။
2.High frequency electrodes သည် self bias ကိုထုတ်ပေးသည်။ ပြားချပ်ချပ်လျှပ်ကူးပစ္စည်းဖွဲ့စည်းပုံပါရှိသော RF စက်ပစ္စည်းတွင်၊ capacitive coupling ကိုက်ညီမှုကို အသုံးပြု၍ circuit ရှိ ကြိမ်နှုန်းမြင့်လျှပ်ကူးပစ္စည်းများသည် self bias ဗို့အားကို ထုတ်ပေးပါသည်။ အီလက်ထရွန်ရွှေ့ပြောင်းမှုအမြန်နှုန်းနှင့် အိုင်းယွန်းရွှေ့ပြောင်းမှုအမြန်နှုန်းကြား ကြီးမားသောကွာခြားချက်သည် လျှပ်စီးတွင် အီလက်ထရွန်များ ရွေ့လျားမှုအမြန်နှုန်းကို သတ်မှတ်အချိန်အတွင်း ပိုမိုရရှိစေပြီး နှေးကွေးသော အိုင်းယွန်းအမြန်နှုန်းသည် စုစည်းမှုကို ဖြစ်စေသည်။ ကြိမ်နှုန်းမြင့်လျှပ်ကူးပစ္စည်းသည် လည်ပတ်မှုတစ်ခုစီတိုင်းအတွက် အနုတ်လက္ခဏာဆောင်သည့်အလားအလာတွင်ရှိပြီး မြေပြင်တွင် အနုတ်ဗို့အားကို ဖြစ်ပေါ်စေသည်၊ ၎င်းသည် ကြိမ်နှုန်းမြင့်လျှပ်ကူးပစ္စည်း၏ self bias ဖြစ်စဉ်ဖြစ်သည်။
RF discharge electrode မှထုတ်ပေးသော self bias သည် discharge process ကိုဆက်လက်ထိန်းသိမ်းထားရန် Secondary electrons ကိုအဆက်မပြတ်ထုတ်လွှတ်ရန်အတွက် cathode electrode ၏အိုင်းယွန်းဗုံးကြဲခြင်းကိုအရှိန်မြှင့်ပေးပြီး၊ self bias သည် DC glow discharge တွင် cathode drop နှင့်ဆင်တူသည်။ RF ပါဝါထောက်ပံ့မှုကို အသုံးပြုသော်လည်း၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့်လျှပ်ကူးပစ္စည်းမှ 500-1000V သို့ရောက်ရှိသည့် self-bias ဗို့အားကြောင့် ထုတ်လွှတ်မှုသည် တည်ငြိမ်နိုင်သည်။
3. ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်း စွန့်ထုတ်မှုသည် လေထုဖိအား တောက်ပမှု နှင့် ဒိုင်လျှပ်စစ် အတားအဆီး တောက်ပမှု ထွက်လာခြင်း တို့တွင် အရေးကြီးသော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။
တင်ချိန်- ဇွန်လ ၂၁-၂၀၂၃