သတ္တုအော်ဂဲနစ်ဓာတုအငွေ့စုပုံခြင်း (MOCVD)၊ ဓာတ်ငွေ့ပစ္စည်း၏ရင်းမြစ်မှာ သတ္တုအော်ဂဲနစ်ဒြပ်ပေါင်းဓာတ်ငွေ့ဖြစ်ပြီး၊ စုပုံခြင်း၏ အခြေခံဓာတ်ပြုမှုလုပ်ငန်းစဉ်သည် CVD နှင့်ဆင်တူသည်။
၁။ MOCVD ကုန်ကြမ်းဓာတ်ငွေ့
MOCVD အတွက် အသုံးပြုသော ဓာတ်ငွေ့ရင်းမြစ်မှာ သတ္တု-အော်ဂဲနစ် ဒြပ်ပေါင်း (MOC) ဓာတ်ငွေ့ဖြစ်သည်။ သတ္တု-အော်ဂဲနစ် ဒြပ်ပေါင်းများသည် အော်ဂဲနစ်ပစ္စည်းများကို သတ္တုများနှင့် ပေါင်းစပ်ခြင်းဖြင့် ထုတ်လုပ်ထားသော တည်ငြိမ်သော ဒြပ်ပေါင်းများဖြစ်သည်။ အော်ဂဲနစ် ဒြပ်ပေါင်းများတွင် အယ်ကိုင်း၊ အမွှေးနံ့သာများ ရှိသည်။ အယ်ကိုင်းတွင် မီသိုင်း၊ အီသိုင်း၊ ပရိုပိုင်းနှင့် ဘူတိုင်း ပါဝင်သည်။ အယ်ကိုင်းတွင် မီသိုင်း၊ အီသိုင်း၊ ပရိုပိုင်းနှင့် ဘူတိုင်း ပါဝင်သည်။ ဖီနိုင်း ဟိုလိုလော့ဂ်များ၊ ထရိုင်မီသိုင်း ဂယ်လီယမ်၊ [Ga(CH4]) အပါအဝင် အမွှေးနံ့သာများတွင်3)3]၊ ထရိုင်မီသိုင်း အလူမီနီယမ် [Al(CH3)3)3] ဖလင်အလွှာရှိ Ga(CH3) ကဲ့သို့သော ဒြပ်ပေါင်းသုံးမျိုး၊ ငါးမျိုးတွင် မိုက်ခရိုအီလက်ထရွန်းနစ်၊ အော့ပတိုအီလက်ထရွန်းနစ်၊ တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများ စုပုံရန်အတွက်3)3 နှင့် အမိုးနီးယားသည် InGaN luminescent အလွှာရှိ LED မီးချောင်းများ၏ epitaxial ကြီးထွားမှုပေါ်တွင် ဆီလီကွန်ဝေဖာ သို့မဟုတ် နီလာတွင် ရှိနိုင်သည်။ LED မီးချောင်းများသည် tungsten incandescent မီးချောင်းများထက် စွမ်းအင်ချွေတာမှု ၉၀% ပိုမိုများပြားပြီး fluorescent မီးချောင်း ၆၀% ကျော် ပိုမိုများပြားသည်။ LED မီးချောင်းများသည် tungsten incandescent မီးချောင်းများထက် စွမ်းအင်ချွေတာမှု ၉၀% ပိုမိုများပြားပြီး fluorescent မီးချောင်းများထက် စွမ်းအင်ချွေတာမှု ၆၀% ပိုမိုများပြားသည်။ ယနေ့ခေတ်တွင် လမ်းမီးချောင်းများ၊ မီးအလင်းရောင်မီးချောင်းများနှင့် မော်တော်ကားမီးချောင်းများအားလုံးသည် MOCVD မှထုတ်လုပ်သော LED အလင်းထုတ်လွှတ်သည့် ဖလင်များကို အခြေခံအားဖြင့် အသုံးပြုကြသည်။
၂။ စုပုံအပူချိန်
အော်ဂဲနစ်သတ္တုဒြပ်ပေါင်းများ၏ ပြိုကွဲမှုအပူချိန်သည် နိမ့်ပြီး အနည်ထိုင်အပူချိန်သည် HCVD ထက် နိမ့်သည်။ MOCVD မှ အနည်ထိုင်သော TiN ၏ အနည်ထိုင်အပူချိန်ကို ၅၀၀ ဒီဂရီခန့်အထိ လျှော့ချနိုင်သည်။
- ဤဆောင်းပါးကို ထုတ်ဝေသူဖုန်စုပ်အပေါ်ယံလွှာစက်ထုတ်လုပ်သူGuangdong Zhenhua
ပို့စ်တင်ချိန်: အောက်တိုဘာ ၂၀၊ ၂၀၂၃