Nella deposizione chimica da fase vapore metallorganica (MOCVD), la fonte del materiale gassoso è costituita da un gas composto da organometalli, e il processo di reazione di base della deposizione è simile a quello della CVD.
1. Gas grezzo MOCVD
La sorgente gassosa utilizzata per MOCVD è il gas composto metallo-organico (MOC). I composti metallo-organici sono composti stabili prodotti combinando sostanze organiche con metalli. I composti organici hanno alchil, aromatici. Gli alchil includono metile, etile, propile e butile. Gli alchil includono metile, etile, propile e butile. Gli aromatici includono omologhi del fenile, trimetil gallio, [Ga(CH3)3], trimetil alluminio [Al(CH3)3] per la deposizione di microelettronica, optoelettronica, semiconduttori nei tre, cinque composti nello strato di film, come Ga(CH3)3 e l'ammoniaca può essere presente nel wafer di silicio o nello zaffiro durante la crescita epitassiale delle lampade a LED nello strato luminescente InGaN. Le lampade a LED consentono un risparmio energetico superiore al 90% rispetto alle lampade a incandescenza al tungsteno e superiore al 60% rispetto alle lampade fluorescenti. Le lampade a LED sono il 90% più efficienti dal punto di vista energetico rispetto alle lampade a incandescenza al tungsteno e il 60% più efficienti rispetto alle lampade fluorescenti. Oggi, tutti i tipi di lampioni stradali, lampade per illuminazione e fari per automobili utilizzano fondamentalmente pellicole a emissione di luce LED prodotte tramite MOCVD.
2. Temperatura di deposizione
La temperatura di decomposizione dei composti organici metallici è bassa e la temperatura di deposizione è inferiore a quella dell'HCVD. La temperatura di deposizione del TiN depositato tramite MOCVD può essere ridotta a circa 500 gradi.
–Questo articolo è pubblicato daproduttore di macchine per rivestimento sottovuotoGuangdongZhenhua
Data di pubblicazione: 20 ottobre 2023