금속 유기 화학 기상 증착

금속유기화학기상증착(MOCVD)은 기체 물질의 공급원으로 금속유기화합물 가스를 사용하며, 증착의 기본 반응 과정은 화학기상증착(CVD)과 유사합니다.

1. MOCVD 원료 가스

MOCVD에 사용되는 기체 소스는 금속유기화합물(MOC) 가스입니다. 금속유기화합물은 유기물질과 금속이 결합하여 생성되는 안정적인 화합물입니다. 유기 화합물은 알킬기와 방향족기를 포함합니다. 알킬기에는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸기가 있습니다. 방향족기에는 페닐 동족체, 트리메틸갈륨, [Ga(CH₃)₃] 등이 있습니다.₃)₃], 트리메틸알루미늄 [Al(CH)₃)₃] Ga(CH₃)₃와 같은 3~5가지 화합물이 필름층에 존재하는 미세 전자 장치, 광 전자 장치 및 반도체 증착용₃)₃ 암모니아는 InGaN 발광층의 LED 램프 에피택셜 성장 과정에서 실리콘 웨이퍼나 사파이어 기판에 존재할 수 있습니다. LED 램프는 텅스텐 백열등보다 90% 이상, 형광등보다 60% 이상 에너지 절약 효과가 있습니다. 또한, LED 램프는 텅스텐 백열등보다 90%, 형광등보다 60% 더 높은 에너지 효율을 자랑합니다. 오늘날 가로등, 조명등, 자동차 램프 등 모든 종류의 제품에는 MOCVD 방식으로 생산된 LED 발광 필름이 기본적으로 사용되고 있습니다.

2. 증착 온도

유기금속 화합물의 분해 온도가 낮고, 증착 온도 또한 HCVD보다 낮습니다. MOCVD를 이용한 TiN 증착 온도는 약 500도까지 낮출 수 있습니다.

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