金属有機化学気相成長法

金属有機化学気相成長法（MOCVD）は、気体原料として金属有機化合物ガスを用い、基本的な反応プロセスはCVDと類似している。

1.MOCVD原料ガス

MOCVDに使用されるガス源は、金属有機化合物（MOC）ガスです。金属有機化合物は、有機物質と金属を結合させて生成される安定な化合物です。有機化合物にはアルキル基と芳香族基があります。アルキル基には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などがあります。芳香族基には、フェニル同族体、トリメチルガリウム、[Ga(CH)などが含まれます。₃)₃]、トリメチルアルミニウム[Al(CH₃)₃マイクロエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、半導体の成膜に用いられる、Ga(CH)などの3、5種類の化合物からなる膜層。₃)₃ また、アンモニアはシリコンウェハーまたはサファイア上のLEDランプのエピタキシャル成長中のInGaN発光層に存在することができます。LEDランプはタングステン白熱灯より90%以上、蛍光灯より60%以上省エネです。LEDランプはタングステン白熱灯より90%、蛍光灯より60%エネルギー効率が高いです。現在、あらゆる種類の街路灯、照明ランプ、自動車ランプは基本的にMOCVDで製造されたLED発光膜を使用しています。

2. 成膜温度

有機金属化合物の分解温度は低く、成膜温度はHCVDよりも低い。MOCVD法で成膜したTiNの成膜温度は約500℃まで下げることができる。

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