En la deposición química de vapor de compuestos organometálicos (MOCVD), la fuente de material gaseoso es un gas compuesto organometálico, y el proceso de reacción básico de la deposición es similar al de la CVD.
1. Gas crudo MOCVD
La fuente gaseosa utilizada para MOCVD es el gas compuesto organometálico (MOC). Los compuestos organometálicos son compuestos estables producidos al combinar sustancias orgánicas con metales. Los compuestos orgánicos tienen grupos alquilo y aromáticos. Los grupos alquilo incluyen metilo, etilo, propilo y butilo. Los grupos alquilo incluyen metilo, etilo, propilo y butilo. Los grupos aromáticos incluyen homólogos de fenilo, trimetil galio, [Ga(CH3)3], trimetil aluminio [Al(CH3)3] para la deposición de microelectrónica, optoelectrónica, semiconductores en los tres, cinco compuestos en la capa de película, como Ga(CH3)3 El amoníaco puede estar presente en la oblea de silicio o zafiro durante el crecimiento epitaxial de las lámparas LED en la capa luminiscente de InGaN. Las lámparas LED ahorran un 90 % más de energía que las lámparas incandescentes de tungsteno y un 60 % más que las lámparas fluorescentes. Actualmente, todo tipo de farolas, lámparas de iluminación y luces para automóviles utilizan películas emisoras de luz LED producidas mediante MOCVD.
2. Temperatura de deposición
La temperatura de descomposición de los compuestos orgánicos metálicos es baja, y la temperatura de deposición es inferior a la de HCVD. La temperatura de deposición de TiN depositado mediante MOCVD puede reducirse a unos 500 grados.
–Este artículo es publicado porfabricante de máquinas de recubrimiento al vacíoGuangdong Zhenhua
Fecha de publicación: 20 de octubre de 2023