Bei der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) ist die Quelle des gasförmigen Materials ein metallorganisches Verbindungsgas, und der grundlegende Reaktionsprozess der Abscheidung ist dem der CVD ähnlich.
1. MOCVD-Rohgas
Als Gasquelle für die MOCVD wird metallorganisches Verbindungsgas (MOC-Gas) verwendet. Metallorganische Verbindungen sind stabile Verbindungen, die durch die Kombination organischer Substanzen mit Metallen entstehen. Organische Verbindungen können Alkyl- oder Aromatenreste enthalten. Zu den Alkylresten gehören Methyl, Ethyl, Propyl und Butyl. Aromaten umfassen Phenylhomologe, Trimethylgallium und [Ga(CH)₃]²⁺.3)3], Trimethylaluminium [Al(CH3)3] für die Abscheidung von Mikroelektronik, Optoelektronik und Halbleitern in den drei, fünf Verbindungen in der Filmschicht, wie z. B. Ga(CH3)3 Ammoniak kann im Siliziumwafer oder Saphir während des epitaxialen Wachstums von LED-Lampen in der InGaN-Leuchtschicht vorhanden sein. LED-Lampen sind 90 % energieeffizienter als Glühlampen und über 60 % energiesparender als Leuchtstofflampen. Heutzutage werden für alle Arten von Straßen-, Beleuchtungs- und Fahrzeuglampen im Wesentlichen LED-Leuchtfolien verwendet, die mittels MOCVD hergestellt werden.
2. Abscheidungstemperatur
Die Zersetzungstemperatur organischer Metallverbindungen ist niedrig, und die Abscheidungstemperatur liegt unter der von HCVD. Die Abscheidungstemperatur von mittels MOCVD abgeschiedenem TiN kann auf etwa 500 °C gesenkt werden.
–Dieser Artikel wurde veröffentlicht vonHersteller von VakuumbeschichtungsmaschinenGuangdong Zhenhua
Veröffentlichungsdatum: 20. Oktober 2023