Uwekaji wa Mvuke wa Kemikali ya Chuma Kikaboni

Uwekaji mvuke wa kemikali kikaboni ya metali (MOCVD), chanzo cha nyenzo za gesi ni gesi kiwanja kikaboni cha metali, na mchakato wa msingi wa mmenyuko wa uwekaji ni sawa na CVD.

1. MOCVD gesi ghafi

Chanzo cha gesi kinachotumika kwa MOCVD ni gesi ya kiwanja cha metali-kikaboni (MOC). Misombo ya metali-kikaboni ni misombo thabiti inayozalishwa kwa kuchanganya vitu vya kikaboni na metali. Misombo ya kikaboni ina alkyl, aromatic. Alkyl inajumuisha methili, ethili, propili, na butili. Alkyli inajumuisha methili, ethili, propili, na butili. Aromatic ikiwa ni pamoja na homologues za phenyl, trimethyl gallium, [Ga(CH2)₃)₃], alumini ya trimethili [Al(CH2)₃)₃kwa ajili ya uwekaji wa vifaa vya elektroniki vidogo, optoelectronics, semiconductors katika misombo mitatu, mitano kwenye safu ya filamu, kama vile Ga(CH2)₃)₃ na amonia inaweza kuwa kwenye kaki ya silikoni au yakuti kwenye ukuaji wa epitaxial wa taa za LED kwenye safu ya mwangaza ya InGaN. Taa za LED zinaokoa nishati zaidi ya 90%, zaidi ya 60% ya taa za mwangaza zinazookoa nishati. Taa za LED zinaokoa nishati zaidi ya 90% kuliko taa za mwangaza za tungsten na ufanisi wa nishati zaidi ya 60% kuliko taa za mwangaza. Siku hizi, kila aina ya taa za barabarani, taa za taa na taa za magari kimsingi hutumia filamu zinazotoa mwangaza wa LED zinazozalishwa na MOCVD.

2. Halijoto ya uwekaji

Halijoto ya mtengano wa misombo ya metali kikaboni ni ya chini, na halijoto ya mtengano ni ya chini kuliko ile ya HCVD. Halijoto ya mtengano wa TiN inayowekwa na MOCVD inaweza kupunguzwa hadi takriban digrii 500.

– Makala hii imetolewa namtengenezaji wa mashine ya mipako ya utupuGuangdong Zhenhua