Pagdeposito sa Organikong Kemikal nga Singaw sa Metal

Ang metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), ang tinubdan sa gas nga materyal mao ang metal organic compound gas, ug ang batakang proseso sa reaksyon sa deposition susama sa CVD.

1.MOCVD hilaw nga gas

Ang tinubdan sa gas nga gigamit para sa MOCVD kay metal-organic compound (MOC) gas. Ang metal-organic compounds kay lig-on nga compounds nga gihimo pinaagi sa paghiusa sa mga organikong substansiya uban sa mga metal. Ang mga organikong compound adunay alkyl, aromatic. Ang alkyl naglakip sa methyl, ethyl, propyl, ug butyl. Ang alkyl naglakip sa methyl, ethyl, propyl, ug butyl. Ang aromatic naglakip sa phenyl homologues, trimethyl gallium, [Ga(CH₃)₃], trimethyl aluminum [Al(CH₃)₃] para sa pagdeposito sa microelectronics, optoelectronics, semiconductors sa tulo, lima ka compounds sa film layer, sama sa Ga(CH₃)₃ ug ang ammonia mahimong naa sa silicon wafer o sapiro sa epitaxial nga pagtubo sa mga lampara sa LED sa InGaN luminescent layer. Ang mga lampara sa LED labaw pa sa tungsten incandescent nga makadaginot sa enerhiya nga 90%, labaw pa sa 60% nga makadaginot sa enerhiya nga fluorescent lamp. Ang mga lampara sa LED 90% nga mas episyente sa enerhiya kaysa sa mga lampara sa tungsten incandescent ug 60% nga mas episyente sa enerhiya kaysa sa mga lampara sa fluorescent. Karon, ang tanan nga mga klase sa mga lampara sa kadalanan, mga lampara sa suga ug mga lampara sa awto naggamit sa mga LED light-emitting film nga gihimo sa MOCVD.

2. Temperatura sa pagdeposito

Ubos ang temperatura sa pagkadunot sa mga organikong metal compound, ug mas ubos ang temperatura sa pagdeposito kay sa HCVD. Ang temperatura sa pagdeposito sa TiN nga gideposito sa MOCVD mahimong mub-an ngadto sa mga 500 degrees.

–Kini nga artikulo gipagawas nitiggama og vacuum coating machineGuangdong Zhenhua