ရုပ်ရှင်ဖွဲ့စည်းမှုကို သက်ရောက်မှုရှိသော အချက်များ အခန်း ၁

(၁) ဖြန်းဓာတ်ငွေ့။ ဖြန်းဓာတ်ငွေ့သည် ဖြန်းထွက်နှုန်းမြင့်မားခြင်း၊ ပစ်မှတ်ပစ္စည်းနှင့် မသက်ဆိုင်ခြင်း၊ ဈေးသက်သာခြင်း၊ မြင့်မားသောသန့်စင်မှုကို အလွယ်တကူရယူခြင်းနှင့် အခြားလက္ခဏာများရှိသင့်သည်။ ယေဘုယျအားဖြင့် အာဂွန်သည် ဖြန်းဓာတ်ငွေ့အတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။

(၂) Sputtering voltage နှင့် substrate voltage။ ဤ parameter နှစ်ခုသည် film ၏ ဝိသေသလက္ခဏာများအပေါ် အရေးကြီးသော သက်ရောက်မှုရှိပြီး sputtering voltage သည် deposition rate ကိုသာမက deposition film ၏ structure ကိုလည်း ပြင်းထန်စွာ သက်ရောက်မှုရှိသည်။ Substrate potential သည် လူသားထိုးသွင်းမှု၏ electron သို့မဟုတ် ion flow ကို တိုက်ရိုက်သက်ရောက်မှုရှိသည်။ substrate ကို ground လုပ်ထားပါက equivalent electrons များဖြင့် bombard လုပ်သည်။ substrate ကို suspension potential V1 ၏ ground နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အနည်းငယ် negative potential ရရှိပြီး substrate V2 ပတ်လည်ရှိ plasma potential သည် substrate potential ထက် ပိုမိုမြင့်မားသောကြောင့် electrons နှင့် positive ion များကို bombard လုပ်ခြင်း အတိုင်းအတာတစ်ခုအထိ ဖြစ်ပေါ်စေပြီး film thickness၊ composition နှင့် အခြားဝိသေသလက္ခဏာများကို ပြောင်းလဲစေသည်- substrate သည် bias voltage ကို ရည်ရွယ်ချက်ရှိရှိ အသုံးပြုပါက electrons သို့မဟုတ် ion များ၏ electrical acceptance ၏ polarity နှင့်အညီဖြစ်ရန် substrate ကို သန့်စင်ပေးနိုင်ရုံသာမက film ၏ adhesion ကို မြှင့်တင်ပေးနိုင်ရုံသာမက film ၏ structure ကိုလည်း ပြောင်းလဲစေနိုင်သည်။ radio frequency sputtering coating တွင် conductor membrane + DC bias ပြင်ဆင်ခြင်း- dielectric membrane + tuning bias ပြင်ဆင်ခြင်း။

(၃) အောက်ခံအပူချိန်။ အောက်ခံအပူချိန်သည် ဖလင်၏အတွင်းပိုင်းဖိစီးမှုကို ပိုမိုသက်ရောက်မှုရှိပြီး၊ ၎င်းသည် အပူချိန်သည် အောက်ခံပေါ်တွင် စုပုံနေသော အက်တမ်များ၏ လှုပ်ရှားမှုကို တိုက်ရိုက်သက်ရောက်မှုရှိသောကြောင့် ဖလင်၏ဖွဲ့စည်းမှု၊ ဖွဲ့စည်းပုံ၊ ပျမ်းမျှအမှုန်အရွယ်အစား၊ ပုံဆောင်ခဲဦးတည်ချက်နှင့် မပြည့်စုံမှုကို ဆုံးဖြတ်ပေးသည်။

- ဤဆောင်းပါးကို ထုတ်ဝေသူဖုန်စုပ်အပေါ်ယံလွှာစက်ထုတ်လုပ်သူGuangdong Zhenhua