(1) Сиптерүче газ. Сиптерүче газ югары сиптерүчәнлек, максатлы материалга карата инерт, арзан, җиңел алынучы югары сафлык һәм башка үзенчәлекләргә ия булырга тиеш. Гомумән алганда, аргон иң яхшы сиптерүче газ.
(2) Сиптерү көчәнеше һәм субстрат көчәнеше. Бу ике параметр пленканың үзенчәлекләренә мөһим йогынты ясый, сиптерү көчәнеше утыру тизлегенә генә түгел, ә утыртылган пленканың структурасына да җитди йогынты ясый. Субстрат потенциалы кеше инъекциясенең электрон яки ион агымына турыдан-туры тәэсир итә. Әгәр субстрат җиргә тоташтырылган булса, аңа эквивалент электроннар һөҗүм итә; әгәр субстрат асылмалы булса, ул яктылык разряд өлкәсендә урнашкан, V1 суспензия потенциалының җиргә карата бераз тискәре потенциалы була, һәм V2 субстрат тирәсендәге плазманың потенциалы субстрат потенциалыннан югарырак була, бу электроннар һәм уңай ионнарның билгеле бер дәрәҗәдә бомбага тотылуына китерә, нәтиҗәдә пленка калынлыгында, составында һәм башка үзенчәлекләрдә үзгәрешләр була: әгәр субстратка электроннар яки ионнарның электр кабул итү полярлыгына туры килерлек итеп максатчан рәвештә көчәнеш кулланылса, бу субстратны чистартырга һәм пленканың адгезиясен көчәйтергә генә түгел, ә пленканың структурасын да үзгәртергә мөмкин. Радиоешлык сиптерү каплавында, үткәргеч мембрананы һәм даими ток тайпылышын әзерләү: диэлектрик мембрананы әзерләү һәм көйләү тайпылышы.
(3) Субстрат температурасы. Субстрат температурасы пленканың эчке көчәнешенә зуррак йогынты ясый, бу температураның субстратта урнаштырылган атомнарның активлыгына турыдан-туры йогынты ясавы белән бәйле, шуның белән пленканың составын, структурасын, уртача бөртек зурлыгын, кристаллның урнашуын һәм тулы булмавын билгели.
–Бу мәкалә бастырып чыгарылдывакуум каплау машинасы җитештерүчесеГуандун Чжэнхуа
Бастырып чыгару вакыты: 2024 елның 5 гыйнвары