(1) Sputtergas. Das Sputtergas sollte eine hohe Sputterausbeute aufweisen, gegenüber dem Targetmaterial inert, kostengünstig und in hoher Reinheit erhältlich sein. Im Allgemeinen ist Argon das ideale Sputtergas.
(2) Sputterspannung und Substratspannung. Diese beiden Parameter haben einen wesentlichen Einfluss auf die Eigenschaften des Films. Die Sputterspannung beeinflusst nicht nur die Abscheidungsrate, sondern auch die Struktur des abgeschiedenen Films. Das Substratpotenzial beeinflusst direkt den Elektronen- oder Ionenfluss. Ist das Substrat geerdet, wird es mit Elektronen beschossen. Ist das Substrat freischwebend, befindet es sich im Bereich der Glimmentladung und weist ein leicht negatives Potenzial V1 relativ zur Erdung auf. Das Plasmapotenzial V2 um das Substrat ist höher als das Substratpotenzial, was zu einem gewissen Beschuss mit Elektronen und positiven Ionen führt und somit die Filmdicke, die Zusammensetzung und andere Eigenschaften verändert. Durch gezieltes Anlegen einer Vorspannung an das Substrat, die der Polarität der Elektronen- oder Ionenaufnahme entspricht, lässt sich das Substrat reinigen, die Haftung des Films verbessern und dessen Struktur verändern. Bei der Hochfrequenz-Sputterbeschichtung: Herstellung einer Leitermembran plus Gleichstromvorspannung; Herstellung einer dielektrischen Membran plus Abstimmungsvorspannung.
(3) Substrattemperatur. Die Substrattemperatur hat einen größeren Einfluss auf die inneren Spannungen des Films, da die Temperatur direkt die Aktivität der abgeschiedenen Atome auf dem Substrat beeinflusst und somit die Zusammensetzung, die Struktur, die mittlere Korngröße, die Kristallorientierung und die Unvollständigkeit des Films bestimmt.
–Dieser Artikel wurde veröffentlicht vonHersteller von VakuumbeschichtungsmaschinenGuangdong Zhenhua
Veröffentlichungsdatum: 05.01.2024