Jonu staru nogulsnēšanas tehnoloģija

① Jonu staru ar palīdzību uzklāšanas tehnoloģijai raksturīga spēcīga saķere starp plēvi un substrātu, plēves slānis ir ļoti izturīgs. Eksperimenti ir parādījuši, ka: jonu staru ar palīdzību uzklāšanas adhēzija ir vairākas reizes lielāka nekā termiskās tvaiku uzklāšanas adhēzija, un tas galvenokārt ir saistīts ar jonu bombardēšanas tīrīšanas efektu uz virsmas, kā rezultātā membrānas pamatnes saskarnē veidojas gradienta starpfāžu struktūra jeb hibrīds pārejas slānis, kā arī samazinās membrānas spriegums.

② Jonu kūļa uzklāšana var uzlabot plēves mehāniskās īpašības, pagarināt noguruma kalpošanas laiku un ir ļoti piemērota oksīdu, karbīdu, kubiskā BN, TiB un dimanta līdzīgu pārklājumu ražošanai. Piemēram, karstumizturīgā tērauda 1Crl8Ni9Ti ražošanā, izmantojot jonu kūļa uzklāšanas tehnoloģiju 200 nm biezas SiN plānas plēves audzēšanai, ne tikai var kavēt noguruma plaisu rašanos uz materiāla virsmas, bet arī ievērojami samazināt noguruma plaisu difūzijas ātrumu, tādējādi pagarinot tās kalpošanas laiku.

③ Jonu kūļa veicināta uzklāšana var mainīt plēves sprieguma raksturu un mainīt tās kristālisko struktūru. Piemēram, gatavojot Cr plēvi ar 11,5 keV Xe+ vai Ar+ bombardēšanu uz substrāta virsmas, tika konstatēts, ka, pielāgojot substrāta temperatūru, bombardēšanas jonu enerģiju, jonu un atomu ierašanās attiecību un citus parametrus, spriegumu var mainīt no stiepes uz spiedes spriegumu, kā arī mainīsies plēves kristāliskā struktūra. Noteiktā jonu un atomu attiecībā jonu kūļa veicinātai uzklāšanai ir labāka selektīvā orientācija nekā membrānas slānim, kas uzklāts ar termiskās tvaiku uzklāšanas metodi.

④ Jonu kūļa veicināta uzklāšana var uzlabot membrānas korozijas izturību un oksidēšanās izturību. Tā kā jonu kūļa veicināta membrānas slāņa uzklāšana ir blīva, membrānas pamatnes saskarnes struktūras uzlabošana vai amorfā stāvokļa veidošanās, ko izraisa graudu robežas izzušana starp daļiņām, kas veicina materiāla korozijas izturības un oksidēšanās izturības uzlabošanos.

Uzlabojiet materiāla izturību pret koroziju un izturiet augstas temperatūras oksidējošo iedarbību.

(5) Jonu kūļa veicināta nogulsnēšanās var mainīt plēves elektromagnētiskās īpašības un uzlabot optisko plāno plēvju veiktspēju. (6) Jonu kūļa veicināta nogulsnēšanās ļauj audzēt dažādas plānas plēves zemā temperatūrā un novērš negatīvo ietekmi uz materiāliem vai precīzām detaļām, ko izraisītu apstrāde augstā temperatūrā, jo ar atomu nogulsnēšanos un jonu implantāciju saistītos parametrus var precīzi un neatkarīgi regulēt, un dažu mikrometru pārklājumus ar vienmērīgu sastāvu var nepārtraukti ģenerēt ar zemu bombardēšanas enerģiju.