Technologie vun der Ionenstrahloflagerung

① D'Technologie vun der Ionenstrahl-assistéierter Oflagerung zeechent sech duerch eng staark Adhäsioun tëscht dem Film an dem Substrat, wouduerch d'Filmieschicht ganz staark ass. Experimenter hunn gewisen, datt: d'Adhäsioun duerch Ionenstrahl-assistéiert Oflagerung ëm e puer Mol bis Honnertmol méi grouss ass wéi d'Adhäsioun duerch thermesch Gasoflagerung. De Grond dofir ass haaptsächlech den Reinigungseffekt vum Ionenbombardement op der Uewerfläch, wouduerch d'Membranbasisgrenzfläche eng gradientéiert Grenzflächenstruktur oder eng Hybrid-Iwwergangsschicht bildt, an d'Spannung vun der Membran reduzéiert gëtt.

② Ionenstrahl-assistéiert Oflagerung kann d'mechanesch Eegeschafte vum Film verbesseren an d'Liewensdauer vun de Middegkeetsriss verlängeren, a ganz gëeegent fir d'Virbereedung vun Oxiden, Karbiden, kubeschem BN, TiB: an diamantähnleche Beschichtungen. Zum Beispill, an 1Crl8Ni9Ti hitzebeständege Stol mat der Technologie vun Ionenstrahl-assistéierter Oflagerung fir 200nm SiN ze wuessen, kann en dënnen Film net nëmmen d'Entstoe vu Middegkeetsrëss op der Uewerfläch vum Material hemmen, mä och d'Diffusiounsquote vun de Middegkeetsrëss däitlech reduzéieren an doduerch seng Liewensdauer verlängeren.

③ Ionenstrahl-assistéiert Oflagerung kann d'Spannungsnatur vum Film änneren an seng kristallin Struktur ännert sech. Zum Beispill huet d'Virbereedung vun engem Cr-Film mat 11,5 keV Xe+ oder Ar+ Bombardement vun der Substratoberfläche festgestallt, datt d'Upassung vun der Substrattemperatur, der Bombardementionenenergie, dem Ionen- an Atomankunftsverhältnis an aner Parameteren d'Spannung vun Zuch- zu Kompressiounsspannung änneren kann, an d'Kristallstruktur vum Film wäert och Ännerungen verursaachen. Ënner engem bestëmmte Verhältnis vun Ionen zu Atomer huet d'Ionenstrahl-assistéiert Oflagerung eng besser selektiv Orientéierung wéi d'Membranschicht, déi duerch thermesch Gasoflagerung ofgesat gëtt.

④ Ionenstrahl-assistéiert Oflagerung kann d'Korrosiounsbeständegkeet an d'Oxidatiounsbeständegkeet vun der Membran verbesseren. Well d'Ionenstrahl-assistéiert Oflagerung vun der Membranschicht dicht ass, gëtt d'Grenzflächestruktur vun der Membranbasis verbessert oder d'Bildung vun engem amorphen Zoustand verursaacht duerch d'Verschwannen vun der Kärengrenz tëscht de Partikelen, wat zu der Verbesserung vun der Korrosiounsbeständegkeet an der Oxidatiounsbeständegkeet vum Material bäidréit.

Verbessert d'Korrosiounsbeständegkeet vum Material a widdersetzt den oxidéierenden Effekt vun héijer Temperatur.

(5) Ionenstrahl-assistéiert Oflagerung kann d'elektromagnetesch Eegeschafte vum Film änneren an d'Leeschtung vun opteschen Dënnschichten verbesseren. (6) Ionen-assistéiert Oflagerung erlaabt d'Wuesstum vu verschiddene Dënnschichten bei niddregen Temperaturen a vermeit déi negativ Auswierkungen op Materialien oder Präzisiounsdeeler, déi duerch d'Behandlung bei héijen Temperaturen verursaacht géifen, well d'Parameteren am Zesummenhang mat der Atomoflagerung an der Ionenimplantatioun präzis an onofhängeg ugepasst kënne ginn, a Beschichtunge vu puer Mikrometer mat enger konsequenter Zesummesetzung kontinuéierlech bei niddregen Bombardementenergien generéiert kënne ginn.