有機金属化学蒸着法

金属有機化学気相成長法（MOCVD）では、ガス状物質の供給源は金属有機化合物ガスであり、堆積の基本的な反応プロセスはCVDと同様です。

1.MOCVD原料ガス

MOCVDに使用されるガス源は、有機金属化合物（MOC）ガスです。有機金属化合物は、有機物と金属を組み合わせることで生成される安定した化合物です。有機化合物はアルキル、芳香族を有します。アルキルには、メチル、エチル、プロピル、ブチルが含まれます。アルキルには、メチル、エチル、プロピル、ブチルが含まれます。芳香族には、フェニル同族体、トリメチルガリウム、[Ga(CH₃)₃]、トリメチルアルミニウム[Al(CH₃)₃] マイクロエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、半導体の堆積に用いられる、Ga(CH₃)₃ LEDランプのInGaN発光層におけるエピタキシャル成長において、シリコンウェハまたはサファイア基板にアンモニアが存在する可能性があります。LEDランプはタングステン白熱灯よりも90%以上、蛍光灯よりも60%以上省エネです。LEDランプはタングステン白熱灯よりも90%、蛍光灯よりも60%以上のエネルギー効率を誇ります。現在、あらゆる種類の街灯、照明灯、自動車用ランプは、基本的にMOCVD法で製造されたLED発光膜を使用しています。

2. 堆積温度

有機金属化合物の分解温度は低く、堆積温度はHCVDよりも低くなります。MOCVDによるTiNの堆積温度は、約500℃まで下げることができます。

–この記事は真空コーティング機メーカー広東振華