טכנולוגיית שקיעת קרן יונים

① טכנולוגיית שיקוע בסיוע אלומת יונים מאופיינת בהידבקות חזקה בין הסרט למצע, ושכבת הסרט חזקה מאוד. ניסויים הראו כי: הידבקות בשיקוע בסיוע אלומת יונים גדלה פי כמה וכמה עד פי מאות בהשוואה לשיקוע אדים תרמי. הסיבה לכך היא בעיקר השפעת הניקוי של הפצצת יונים על פני השטח, כך שממשק בסיס הממברנה יוצר מבנה ממשק גרדיאנטי, או שכבת מעבר היברידית, וכן מפחית את הלחץ על הממברנה.

② שיקוע בסיוע אלומת יונים יכול לשפר את התכונות המכניות של הסרט, להאריך את חיי העייפות, מתאים מאוד להכנת תחמוצות, קרבידים, BN קובי, TiB: וציפויים דמויי יהלום. לדוגמה, בפלדה עמידה בחום 1Crl8Ni9Ti, שימוש בטכנולוגיית שיקוע בסיוע אלומת יונים לגידול שכבה דקה של 200 ננומטר SiN לא רק יכול לעכב את הופעתם של סדקי עייפות על פני החומר, אלא גם להפחית משמעותית את קצב דיפוזיה של סדקי עייפות, ובכך להאריך את חייו, יש לו תפקיד חשוב.

③ שיקוע בסיוע אלומת יונים יכול לשנות את אופי המאמץ של הסרט ולשנות את המבנה הגבישי שלו. לדוגמה, הכנת סרט Cr עם הפצצה של 11.5keV Xe+ או Ar+ על פני המצע, מצאה כי התאמת טמפרטורת המצע, אנרגיית ההפצצה של יונים, יחס הגעת יונים ואטומים ופרמטרים אחרים, יכולים לשנות את המאמץ ממאמץ מתיחה למאמץ דחיסה, וגם מבנה הגביש של הסרט יגרום לשינויים. תחת יחס מסוים של יונים לאטומים, לשיקוע בסיוע אלומת יונים יש אוריינטציה סלקטיבית טובה יותר מאשר שכבת הממברנה המופקדת בשיקוע אדים תרמי.

④ שיקוע בסיוע אלומת יונים יכול לשפר את עמידות הקורוזיה והחמצון של הממברנה. מכיוון ששיקוע בסיוע אלומת יונים של שכבת הממברנה צפוף יותר, שיפור מבנה ממשק הבסיס של הממברנה או היווצרות מצב אמורפי נגרם עקב היעלמות גבול הגרעינים בין החלקיקים, דבר התורם לשיפור עמידות הקורוזיה והחמצון של החומר.

לשפר את עמידות החומר בפני קורוזיה ולהתנגד להשפעת החמצון של טמפרטורה גבוהה.

(5) שיקוע בסיוע אלומת יונים יכול לשנות את התכונות האלקטרומגנטיות של הסרט ולשפר את ביצועי הסרטים הדקים האופטיים. (6) שיקוע בסיוע יונים מאפשר גידול של סרטים דקים שונים בטמפרטורות נמוכות ומונע את ההשפעות השליליות על חומרים או חלקים מדויקים שייגרמו מטיפול בטמפרטורות גבוהות, מכיוון שניתן לכוונן את הפרמטרים הקשורים לשיקוע אטומי ולהשתלת יונים בצורה מדויקת ועצמאית, וניתן לייצר ציפויים של כמה מיקרומטרים עם הרכב עקבי באופן רציף באנרגיות הפגזה נמוכות.