① Az ionsugaras leválasztási technológiát a film és az aljzat közötti erős tapadás jellemzi, így a filmréteg nagyon erős. Kísérletek kimutatták, hogy az ionsugaras leválasztás a termikus gőzfázisú leválasztáshoz képest többszörösére, sőt akár százszorosára is nagyobb tapadást eredményez, ami főként az ionbombázás felületén lévő tisztítóhatásnak köszönhető, így a membrán alapfelületén gradiens határfelületi szerkezet, vagy hibrid átmeneti réteg alakul ki, és csökken a membrán feszültsége.
② Az ionsugaras leválasztás javíthatja a film mechanikai tulajdonságait, meghosszabbíthatja a kifáradási élettartamot, és kiválóan alkalmas oxidok, karbidok, köbös BN, TiB és gyémántszerű bevonatok előállítására. Például az 1Crl8Ni9Ti hőálló acélban az ionsugaras leválasztási technológiával 200 nm-es SiN vékonyréteget növesztenek, ami nemcsak gátolja a kifáradási repedések kialakulását az anyag felületén, hanem jelentősen csökkentheti a kifáradási repedések terjedési sebességét is, meghosszabbítva az élettartamot.
③ Az ionsugaras leválasztás megváltoztathatja a film feszültség jellegét és kristályszerkezetét. Például a Cr film 11,5 keV Xe+ vagy Ar+ bombázással történő szubsztrát felületének előállítása során azt tapasztalták, hogy a szubsztrát hőmérsékletének, a bombázási ionenergia, az ion-atom érkezési arányának és más paramétereknek a beállításával a feszültség húzófeszültségtől nyomófeszültségig terjedhet, és a film kristályszerkezete is megváltozik. Bizonyos ion-atom arány mellett az ionsugaras leválasztás jobb szelektív orientációval rendelkezik, mint a termikus gőzfázisú leválasztással leválasztott membránréteg.
④ Az ionsugaras leválasztás növelheti a membrán korrózióállóságát és oxidációállóságát. Mivel a membránréteg ionsugaras leválasztása sűrű, a membrán alapfelületének szerkezete javul, vagy amorf állapot alakul ki a részecskék közötti szemcsehatár eltűnése miatt, ami elősegíti az anyag korrózióállóságának és oxidációállóságának növekedését.
Növelje az anyag korrózióállóságát és ellenálljon a magas hőmérséklet oxidáló hatásának.
(5) Az ionsugaras leválasztás megváltoztathatja a film elektromágneses tulajdonságait és javíthatja az optikai vékonyrétegek teljesítményét. (6) Az ionsugaras leválasztás lehetővé teszi különféle vékonyrétegek növesztését alacsony hőmérsékleten, és elkerüli az anyagokra vagy precíziós alkatrészekre gyakorolt káros hatásokat, amelyeket a magas hőmérsékleten történő kezelés okozna, mivel az atomleválasztással és az ionimplantációval kapcsolatos paraméterek pontosan és függetlenül állíthatók be, és néhány mikrométer vastagságú, állandó összetételű bevonatok hozhatók létre folyamatosan alacsony bombázási energiákon.
Közzététel ideje: 2024. márc. 7.