આયન બીમ ડિપોઝિશન ટેકનોલોજી

① આયન બીમ સહાયિત ડિપોઝિશન ટેકનોલોજી ફિલ્મ અને સબસ્ટ્રેટ વચ્ચે મજબૂત સંલગ્નતા દ્વારા વર્ગીકૃત થયેલ છે, ફિલ્મ સ્તર ખૂબ જ મજબૂત છે. પ્રયોગો દર્શાવે છે કે: આયન બીમ સહાયિત સંલગ્નતા થર્મલ વરાળ નિક્ષેપના સંલગ્નતા કરતાં ઘણી વખત સેંકડો વખત વધી ગઈ છે, તેનું કારણ મુખ્યત્વે સફાઈ અસરની સપાટી પર આયન બોમ્બાર્ડમેન્ટ છે, જેથી પટલ બેઝ ઇન્ટરફેસ ગ્રેડિયન્ટ ઇન્ટરફેસિયલ સ્ટ્રક્ચર, અથવા હાઇબ્રિડ ટ્રાન્ઝિશન લેયર બનાવે છે, તેમજ પટલના તણાવને ઘટાડે છે.

② આયન બીમ આસિસ્ટેડ ડિપોઝિશન ફિલ્મના યાંત્રિક ગુણધર્મોને સુધારી શકે છે, થાકનું જીવન લંબાવી શકે છે, જે ઓક્સાઇડ, કાર્બાઇડ, ક્યુબિક BN, TiB: અને હીરા જેવા કોટિંગ્સની તૈયારી માટે ખૂબ જ યોગ્ય છે. ઉદાહરણ તરીકે, 1Crl8Ni9Ti ગરમી-પ્રતિરોધક સ્ટીલમાં 200nm SiN, પાતળી ફિલ્મ ઉગાડવા માટે આયન બીમ-આસિસ્ટેડ ડિપોઝિશન ટેકનોલોજીનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે, જે સામગ્રીની સપાટી પર થાક તિરાડોના ઉદભવને અટકાવી શકે છે, પરંતુ થાક તિરાડના પ્રસાર દરને નોંધપાત્ર રીતે ઘટાડી શકે છે, તેના જીવનને વધારવામાં સારી ભૂમિકા ભજવે છે.

③ આયન બીમ સહાયિત નિક્ષેપ ફિલ્મના તાણના સ્વભાવને બદલી શકે છે અને તેની સ્ફટિકીય રચનામાં ફેરફાર કરી શકે છે. ઉદાહરણ તરીકે, સબસ્ટ્રેટ સપાટી પર 11.5keV Xe + અથવા Ar + બોમ્બાર્ડમેન્ટ સાથે Cr ફિલ્મની તૈયારી, જાણવા મળ્યું કે સબસ્ટ્રેટ તાપમાન, બોમ્બાર્ડમેન્ટ આયન ઊર્જા, આયન અને અણુ આગમન ગુણોત્તર અને અન્ય પરિમાણોનું ગોઠવણ, તાણને તાણથી સંકુચિત તાણમાં ફેરવી શકે છે, ફિલ્મનું સ્ફટિક માળખું પણ ફેરફારો પેદા કરશે. આયન અને અણુઓના ચોક્કસ ગુણોત્તર હેઠળ, આયન બીમ સહાયિત નિક્ષેપ થર્મલ વરાળ નિક્ષેપ દ્વારા જમા કરાયેલ પટલ સ્તર કરતાં વધુ સારી પસંદગીયુક્ત દિશા ધરાવે છે.

④ આયન બીમ સહાયિત નિક્ષેપન પટલના કાટ પ્રતિકાર અને ઓક્સિડેશન પ્રતિકારને વધારી શકે છે. પટલ સ્તરનું આયન બીમ સહાયિત નિક્ષેપન ગાઢ હોવાથી, કણો વચ્ચેની અનાજની સીમા અદ્રશ્ય થવાને કારણે પટલ બેઝ ઇન્ટરફેસ માળખું સુધારે છે અથવા આકારહીન સ્થિતિનું નિર્માણ થાય છે, જે સામગ્રીના કાટ પ્રતિકાર અને ઓક્સિડેશન પ્રતિકારને વધારવા માટે અનુકૂળ છે.

સામગ્રીના કાટ પ્રતિકારને વધારવો અને ઉચ્ચ તાપમાનના ઓક્સિડાઇઝિંગ અસરનો પ્રતિકાર કરો.

(૫) આયન બીમ આસિસ્ટેડ ડિપોઝિશન ફિલ્મના ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક ગુણધર્મોને બદલી શકે છે અને ઓપ્ટિકલ પાતળા ફિલ્મોના પ્રદર્શનમાં સુધારો કરી શકે છે. (૬) આયન-આસિસ્ટેડ ડિપોઝિશન ઓછા તાપમાને વિવિધ પાતળા ફિલ્મોના વિકાસને મંજૂરી આપે છે અને ઉચ્ચ તાપમાને સારવાર દ્વારા થતી સામગ્રી અથવા ચોકસાઇ ભાગો પર પ્રતિકૂળ અસરોને ટાળે છે, કારણ કે અણુ નિક્ષેપન અને આયન ઇમ્પ્લાન્ટેશન સંબંધિત પરિમાણો સચોટ અને સ્વતંત્ર રીતે ગોઠવી શકાય છે, અને સુસંગત રચના સાથે થોડા માઇક્રોમીટરના કોટિંગ્સ ઓછી બોમ્બાર્ડમેન્ટ ઊર્જા પર સતત ઉત્પન્ન કરી શકાય છે.