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Caratteristiche è Applicazione di u Rivestimentu Ionicu - Capitulu 1

Fonte di l'articulu: Aspiratore Zhenhua
Leghje: 10
Publicatu: 24-01-12

In paragone cù a placcatura per evaporazione è a placcatura per sputtering, a caratteristica più impurtante di a placcatura ionica hè chì l'ioni energetichi bombardanu u substratu è u stratu di film mentre si faci a deposizione. U bombardamentu di ioni carichi produce una seria d'effetti, principalmente i seguenti.

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① Forza di legame membrana/base (adesione) forte, u stratu di film ùn hè micca faciule da cascà per via di u bumbardamentu ionicu di u sustratu generatu da l'effettu di sputtering, in modu chì u sustratu hè pulitu, attivatu è riscaldatu, micca solu per eliminà l'adsorbimentu di u gasu nantu à a superficia di u sustratu è u stratu contaminatu, ma ancu per eliminà a superficia di l'ossidi di u sustratu. U bumbardamentu ionicu di u riscaldamentu è i difetti ponu esse causati da l'effettu di diffusione miglioratu di u sustratu, sia per migliurà e proprietà cristalline di l'urganizazione di u stratu superficiale di u sustratu, ma furnisce ancu e cundizioni per a furmazione di fasi di lega; è u bumbardamentu ionicu di più alta energia, ma produce ancu una certa quantità di impiantazione ionica è effettu di mischju di fasciu ionicu.

② U rivestimentu ionicu per via di pruduce una bona radiazione di bypass in u casu di pressione più alta (superiore o uguale à 1Pa) hè ioni di vapore ionizatu o molecule in u so viaghju versu u sustratu prima chì e molecule di gas scontranu un numeru di collisioni, cusì e particelle di film ponu esse sparse intornu à u sustratu, migliurendu cusì a cupertura di u stratu di film; è e particelle di film ionizate saranu ancu depositate sottu l'azione di u campu elettricu nantu à a superficia di u sustratu cù tensione negativa Qualsiasi pusizione nantu à a superficia di u sustratu cù tensione negativa, chì ùn pò esse ottenuta per evaporazione.

–Questu articulu hè statu publicatu dafabricatore di macchine di rivestimentu à vuotoGuangdong Zhenhua


Data di publicazione: 12 di ghjennaghju di u 2024