၁။ အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်အကူအညီဖြင့် စုပုံခြင်းသည် ပစ္စည်းများ၏ မျက်နှာပြင်ပြုပြင်မွမ်းမံမှုတွင် အထောက်အကူဖြစ်စေရန် အဓိကအားဖြင့် စွမ်းအင်နည်းသော အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်များကို အသုံးပြုသည်။
(1) အိုင်းယွန်းအကူအညီဖြင့် စုပုံခြင်း၏ ဝိသေသလက္ခဏာများ
အပေါ်ယံလွှာပြုလုပ်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း၊ စုပုံနေသော ဖလင်အမှုန်များကို အောက်ခံမျက်နှာပြင်ရှိ အိုင်းယွန်းရင်းမြစ်မှ အားသွင်းထားသော အိုင်းယွန်းများက အဆက်မပြတ် ဗုံးကြဲတိုက်ခိုက်နေစဉ်တွင် အားသွင်းထားသော အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်များဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသည်။
(၂) အိုင်းယွန်းအကူအညီဖြင့် စုပုံခြင်း၏ အခန်းကဏ္ဍ
မြင့်မားသောစွမ်းအင်အိုင်းယွန်းများသည် အချိန်မရွေး လျော့ရဲစွာချည်နှောင်ထားသော ဖလင်အမှုန်များကို ဗုံးကြဲတိုက်ခိုက်ကြသည်။ စွမ်းအင်လွှဲပြောင်းခြင်းဖြင့် စုပုံနေသော အမှုန်များသည် ပိုမိုကြီးမားသော kinetic energy ကိုရရှိပြီး nucleation နှင့် growth ၏ဥပဒေကို တိုးတက်စေသည်။ အချိန်မရွေး အမြှေးပါးတစ်ရှူးပေါ်တွင် compaction effect ကိုဖြစ်ပေါ်စေပြီး ဖလင်ကို ပိုမိုသိပ်သည်းစွာကြီးထွားစေသည်။ reactive gas ions များကို ထိုးသွင်းပါက ပစ္စည်း၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် stoichiometric compound layer တစ်ခုဖွဲ့စည်းနိုင်ပြီး compound layer နှင့် substrate အကြားတွင် interface မရှိပါ။
၂။ အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်အကူအညီဖြင့် စုပုံခြင်းအတွက် အိုင်းယွန်းရင်းမြစ်
အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်အကူအညီဖြင့် စုပုံခြင်း၏ ဝိသေသလက္ခဏာမှာ ဖလင်အလွှာအက်တမ်များ (စုပုံအမှုန်များ) ကို အလွှာမျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အိုင်းယွန်းရင်းမြစ်မှ စွမ်းအင်နည်းအိုင်းယွန်းများက အဆက်မပြတ် ဗုံးကြဲတိုက်ခိုက်နေပြီး ဖလင်ဖွဲ့စည်းပုံကို အလွန်သိပ်သည်းစေပြီး ဖလင်အလွှာ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်စေသည်။ အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်၏ စွမ်းအင် E သည် ≤ 500 eV ဖြစ်သည်။ အသုံးများသော အိုင်းယွန်းရင်းမြစ်များတွင် Kauffman အိုင်းယွန်းရင်းမြစ်၊ Hall အိုင်းယွန်းရင်းမြစ်၊ anode အလွှာ အိုင်းယွန်းရင်းမြစ်၊ hollow cathode Hall အိုင်းယွန်းရင်းမြစ်၊ radio frequency အိုင်းယွန်းရင်းမြစ် စသည်တို့ ပါဝင်ပါသည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၃ ခုနှစ်၊ ဇွန်လ ၃၀ ရက်