Uwekaji wa ioni kwa usaidizi wa miale ya ioni na chanzo cha ioni cha nishati kidogo

1. Uwekaji wa boriti ya ioni unaosaidiwa hutumia mihimili ya ioni yenye nishati kidogo kusaidia katika urekebishaji wa uso wa nyenzo.

(1) Sifa za uwekaji wa ioni unaosaidiwa

Wakati wa mchakato wa mipako, chembe za filamu zilizowekwa hupigwa risasi kila mara na ioni zilizochajiwa kutoka kwa chanzo cha ioni kwenye uso wa substrate huku zikipakwa mihimili ya ioni iliyochajiwa.

(2) Jukumu la uwekaji wa ioni uliosaidiwa

Ioni zenye nguvu nyingi hushambulia chembe za filamu zilizofungwa kwa ulegevu wakati wowote; Kwa kuhamisha nishati, chembe zilizowekwa hupata nishati kubwa ya kinetiki, na hivyo kuboresha sheria ya nucleation na ukuaji; Hutoa athari ya mgandamizo kwenye tishu za utando wakati wowote, na kufanya filamu ikue kwa wingi zaidi; Ikiwa ioni za gesi tendaji zitaingizwa, safu ya kiwanja cha stoichiometric inaweza kuundwa juu ya uso wa nyenzo, na hakuna muunganisho kati ya safu ya kiwanja na substrate.

2. Chanzo cha ioni kwa ajili ya uwekaji wa boriti ya ioni unaosaidiwa

Sifa ya uwekaji unaosaidiwa na miale ya ioni ni kwamba atomi za safu ya filamu (chembe za uwekaji) hupigwa risasi kila mara na ioni zenye nishati kidogo kutoka kwa chanzo cha ioni kwenye uso wa substrate, na kufanya muundo wa filamu kuwa mnene sana na kuboresha utendaji wa safu ya filamu. Nishati E ya miale ya ioni ni ≤ 500eV. Vyanzo vya ioni vinavyotumika sana ni pamoja na: Chanzo cha ioni cha Kauffman, Chanzo cha ioni cha Hall, Chanzo cha ioni cha safu ya anode, kathodi tupu Chanzo cha ioni cha Hall, Chanzo cha ioni cha masafa ya redio, n.k.