Fa'aputuga fesoasoani a le ave ion ma le puna ion maualalo le malosi

1. O le fa'aputuga fesoasoani a le ave ion e fa'aaogaina tele ai ave ion e maualalo le malosi e fesoasoani ai i le suia o mea i luga.

(1) Uiga o le fa'aputuga fesoasoani i le ion

I le taimi o le faagasologa o le ufiufi, o vaega o le ata tifaga ua teuina e faaauau pea ona osofaʻia e ions ua molia mai le puna o le ion i luga o le fogaeleele aʻo ufiufiina foi i ave ion ua molia.

(2) O le matafaioi o le fa'aputuga fesoasoani a le ion

E osofia e ions malolosi ia vaega o le ata tifaga e le o fusifusia lelei i soo se taimi; E ala i le fesiitaiga o le malosi, e maua ai e vaega ua teuina le malosi tele o le kinetic, ma faʻaleleia atili ai le tulafono o le nucleation ma le tuputupu aʻe; Faia se aafiaga faʻapipiʻi i luga o le membrane i soo se taimi, ma faʻateleina ai le tuputupu aʻe o le ata tifaga; Afai e tuiina ions kesi tali atu, e mafai ona fausia se vaega faʻapipiʻi stoichiometric i luga o le mea, ma e leai se fesoʻotaʻiga i le va o le vaega faʻapipiʻi ma le substrate.

2. Puna o le ion mo le fa'aputuina o le ion beam

O le uiga o le ion beam assisted deposition o le fa'aauau pea ona osofa'ia o atomu o le vaega o le ata tifaga (deposition particles) e ions e maualalo le malosi mai le puna o le ion i luga o le fogāeleele o le substrate, ma avea ai le fausaga o le ata tifaga ma mafiafia tele ma fa'aleleia atili ai le fa'atinoga o le vaega o le ata tifaga. O le malosi E o le ion beam e ≤ 500eV. O puna o ion e masani ona fa'aaogaina e aofia ai: Puna o le ion Kauffman, Puna o le ion Hall, Puna o le ion anode, Puna o le ion Hall hollow cathode, Puna o le ion radio frequency, ma isi.