Ion beam assisted deposition ug ubos nga enerhiya nga tinubdan sa ion

1. Ang ion beam assisted deposition kasagarang naggamit ug low energy ion beams aron makatabang sa pag-usab sa nawong sa mga materyales.

(1) Mga kinaiya sa ion assisted deposition

Atol sa proseso sa pag-coating, ang nadeposito nga mga partikulo sa pelikula padayon nga gibombahan sa mga charged ions gikan sa tinubdan sa ion sa ibabaw sa substrate samtang gi-coat sa mga charged ion beams.

(2) Ang papel sa ion assisted deposition

Ang mga high-energy ions mobomba sa mga loosely bound film particles bisan unsang orasa; Pinaagi sa pagbalhin sa enerhiya, ang mga deposited particles makakuha og mas dako nga kinetic energy, sa ingon makapauswag sa balaod sa nucleation ug pagtubo; Makamugna og compaction effect sa membrane tissue bisan unsang orasa, nga makapahimo sa film nga motubo nga mas dasok; Kung ang reactive gas ions i-inject, usa ka stoichiometric compound layer ang maporma sa ibabaw sa materyal, ug walay interface tali sa compound layer ug sa substrate.

2. Tinubdan sa ion para sa ion beam assisted deposition

Ang kinaiya sa ion beam assisted deposition mao nga ang mga atomo sa film layer (mga deposition particle) padayon nga gibombahan sa mga low energy ions gikan sa ion source sa ibabaw sa substrate, nga naghimo sa film structure nga dasok kaayo ug nagpauswag sa performance sa film layer. Ang energy E sa ion beam kay ≤ 500eV. Ang kasagarang gigamit nga mga ion source naglakip sa: Kauffman ion source, Hall ion source, anode layer ion source, hollow cathode Hall ion source, radio frequency ion source, ug uban pa.