1. Bei der ionenstrahlunterstützten Abscheidung werden hauptsächlich niederenergetische Ionenstrahlen zur Unterstützung der Oberflächenmodifizierung von Materialien eingesetzt.
(1) Charakteristika der ionenunterstützten Abscheidung
Während des Beschichtungsprozesses werden die abgeschiedenen Filmpartikel kontinuierlich mit geladenen Ionen aus der Ionenquelle auf der Oberfläche des Substrats beschossen, während sie mit geladenen Ionenstrahlen beschichtet werden.
(2) Die Rolle der ionenunterstützten Abscheidung
Hochenergetische Ionen bombardieren die locker gebundenen Filmpartikel jederzeit; durch Energieübertragung gewinnen die abgelagerten Partikel an kinetischer Energie, wodurch die Keimbildung und das Wachstum begünstigt werden; bewirken jederzeit eine Verdichtung des Membrangewebes, wodurch der Film dichter wächst; werden reaktive Gasionen injiziert, kann sich auf der Materialoberfläche eine stöchiometrische Verbindungsschicht bilden, wobei keine Grenzfläche zwischen der Verbindungsschicht und dem Substrat besteht.
2. Ionenquelle für die ionenstrahlgestützte Abscheidung
Charakteristisch für die ionenstrahlgestützte Abscheidung ist, dass die Atome der Schicht (Abscheidungspartikel) auf der Substratoberfläche kontinuierlich mit niederenergetischen Ionen aus der Ionenquelle beschossen werden. Dies führt zu einer sehr dichten Schichtstruktur und verbessert die Eigenschaften der Schicht. Die Energie E des Ionenstrahls beträgt ≤ 500 eV. Gängige Ionenquellen sind beispielsweise Kauffman-Ionenquellen, Hall-Ionenquellen, Anodenschicht-Ionenquellen, Hohlkathoden-Hall-Ionenquellen und Hochfrequenz-Ionenquellen.
Veröffentlichungsdatum: 30. Juni 2023