1. Ionbundelondersteunde depositie maakt hoofdzakelijk gebruik van ionenbundels met lage energie om de oppervlaktemodificatie van materialen te ondersteunen.
(1) Kenmerken van ionenondersteunde depositie
Tijdens het coatingproces worden de afgezette filmdeeltjes continu gebombardeerd door geladen ionen uit de ionenbron op het oppervlak van het substraat, terwijl ze tegelijkertijd worden bedekt met geladen ionenbundels.
(2) De rol van ionenondersteunde depositie
Hoogenergetische ionen bombarderen de losjes gebonden filmdeeltjes op elk gewenst moment; door energieoverdracht verkrijgen de afgezette deeltjes een grotere kinetische energie, waardoor de nucleatie- en groeiprocessen worden verbeterd; dit zorgt voor een verdichtend effect op het membraanweefsel, waardoor de film dichter groeit; als reactieve gasionen worden geïnjecteerd, kan een stoichiometrische samengestelde laag op het oppervlak van het materiaal worden gevormd, zonder interface tussen de samengestelde laag en het substraat.
2. Ionbron voor ionenbundelondersteunde depositie
Het kenmerk van ionenbundelondersteunde depositie is dat de atomen van de filmlaag (depositiepartikels) continu worden gebombardeerd door laagenergetische ionen uit de ionenbron op het oppervlak van het substraat. Hierdoor ontstaat een zeer dichte filmstructuur en worden de prestaties van de filmlaag verbeterd. De energie E van de ionenbundel is ≤ 500 eV. Veelgebruikte ionenbronnen zijn onder andere: Kauffman-ionenbron, Hall-ionenbron, anode-ionenbron, holle kathode Hall-ionenbron, radiofrequentie-ionenbron, enzovoort.
Geplaatst op: 30 juni 2023