Selamat datang ke Guangdong Zhenhua Technology Co., Ltd.
sepanduk_tunggal

Pemendapan berbantukan pancaran ion dan sumber ion tenaga rendah

Sumber artikel: Vakum Zhenhua
Baca:10
Diterbitkan:23-06-30

1. Pemendapan berbantukan pancaran ion terutamanya menggunakan pancaran ion tenaga rendah untuk membantu pengubahsuaian permukaan bahan.

Peralatan salutan magnetron khas untuk bahagian logam gred tinggi

(1) Ciri-ciri pemendapan berbantukan ion

Semasa proses salutan, zarah filem yang termendap terus dihujani oleh ion bercas daripada sumber ion pada permukaan substrat sambil disalut dengan pancaran ion bercas.

(2) Peranan pemendapan berbantukan ion

Ion bertenaga tinggi membedil zarah filem yang terikat longgar pada bila-bila masa; Dengan memindahkan tenaga, zarah yang termendap memperoleh tenaga kinetik yang lebih besar, sekali gus meningkatkan hukum nukleasi dan pertumbuhan; Menghasilkan kesan pemadatan pada tisu membran pada bila-bila masa, menjadikan filem tumbuh lebih padat; Jika ion gas reaktif disuntik, lapisan sebatian stoikiometri boleh dibentuk pada permukaan bahan, dan tiada antara muka antara lapisan sebatian dan substrat.

2. Sumber ion untuk pemendapan berbantukan pancaran ion

Ciri-ciri pemendapan berbantukan pancaran ion ialah atom lapisan filem (zarah pemendapan) dihujani secara berterusan oleh ion tenaga rendah daripada sumber ion pada permukaan substrat, menjadikan struktur filem sangat padat dan meningkatkan prestasi lapisan filem. Tenaga E pancaran ion ialah ≤ 500eV. Sumber ion yang biasa digunakan termasuk: sumber ion Kauffman, sumber ion Hall, sumber ion lapisan anod, sumber ion Hall katod berongga, sumber ion frekuensi radio, dsb.


Masa siaran: 30 Jun 2023