1. İyon ışını destekli kaplama, malzemelerin yüzey modifikasyonunda yardımcı olmak için esas olarak düşük enerjili iyon ışınları kullanır.
(1) İyon destekli çökelmenin özellikleri
Kaplama işlemi sırasında, biriktirilen film parçacıkları, yüklü iyon ışınlarıyla kaplanırken aynı zamanda alt tabakanın yüzeyindeki iyon kaynağından gelen yüklü iyonlarla sürekli olarak bombardımana maruz kalır.
(2) İyon destekli çökelmenin rolü
Yüksek enerjili iyonlar, gevşek bağlı film parçacıklarını her an bombardıman eder; enerji aktarımıyla, biriken parçacıklar daha büyük kinetik enerji kazanır, böylece çekirdeklenme ve büyüme yasası iyileşir; her an membran dokusunda bir sıkıştırma etkisi yaratılarak filmin daha yoğun bir şekilde büyümesi sağlanır; reaktif gaz iyonları enjekte edilirse, malzemenin yüzeyinde stokiyometrik bir bileşik tabaka oluşturulabilir ve bileşik tabaka ile alt tabaka arasında arayüz bulunmaz.
2. İyon ışını destekli biriktirme için iyon kaynağı
İyon ışını destekli kaplamanın özelliği, film tabakası atomlarının (kaplama parçacıkları) alt tabaka yüzeyinde iyon kaynağından gelen düşük enerjili iyonlarla sürekli olarak bombardıman edilmesidir; bu da film yapısını çok yoğun hale getirir ve film tabakasının performansını artırır. İyon ışınının enerjisi E ≤ 500 eV'dir. Yaygın olarak kullanılan iyon kaynakları şunlardır: Kauffman iyon kaynağı, Hall iyon kaynağı, anot tabakalı iyon kaynağı, içi boş katotlu Hall iyon kaynağı, radyo frekanslı iyon kaynağı vb.
Yayın tarihi: 30 Haz-2023