1.Ion beam assisted deposition သည် ပစ္စည်းများ၏ မျက်နှာပြင်ကို ပြုပြင်မွမ်းမံရာတွင် အထောက်အကူဖြစ်စေရန် စွမ်းအင်နည်းသော အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်များကို အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုသည်။
(၁) အိုင်းယွန်းဓာတ် အစစ်ခံခြင်း၏ လက္ခဏာများ
coating လုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း၊ အားသွင်းထားသော အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်များဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားစဉ်တွင် အိုင်းယွန်း၏မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အိုင်းယွန်းရင်းမြစ်မှ အားသွင်းထားသော အိုင်းယွန်းများမှ အဆက်မပြတ် ဗုံးကြဲနေပါသည်။
(၂) အိုင်းယွန်း အစစ်ခံခြင်း၏ အခန်းကဏ္ဍ
စွမ်းအင်မြင့်မားသော အိုင်းယွန်းများသည် ချည်နှောင်ထားသော ဖလင်အမှုန်များကို အချိန်မရွေး ဗုံးကြဲသည်။ စွမ်းအင်လွှဲပြောင်းခြင်းဖြင့်၊ စုဆောင်းထားသော အမှုန်များသည် ပိုမိုကြီးမားသော အရွေ့စွမ်းအင်ကို ရရှိပြီး နူကလိယနှင့် ကြီးထွားမှုဥပဒေအား ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်။ အမြှေးပါးတစ်ရှူးအပေါ် အချိန်မရွေး ကျုံ့နိုင်ဆန့်နိုင်သော အကျိုးသက်ရောက်မှုကို ထုတ်ပေးပြီး ဖလင်ကို ပိုမိုသိပ်သည်းစွာ ကြီးထွားစေပါသည်။ ဓာတ်ပြုသောဓာတ်ငွေ့အိုင်းယွန်းများကိုထိုးသွင်းပါက၊ ပစ္စည်း၏မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် stoichiometric ဒြပ်ပေါင်းအလွှာကိုဖွဲ့စည်းနိုင်ပြီးဒြပ်ပေါင်းအလွှာနှင့်အလွှာကြားတွင်ကြားခံမရှိပါ။
2. အိုင်းယွန်း အလင်းတန်းအတွက် အထောက်အကူဖြစ်စေသော အိုင်းယွန်းအရင်းအမြစ်
ion beam assisted deposition ၏ ထူးခြားချက်မှာ ဖလင်အလွှာ၏ အက်တမ်များ (deposition particles) များသည် အလွှာ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်ရှိ အိုင်းယွန်းရင်းမြစ်မှ စွမ်းအင်နည်းသော အိုင်းယွန်းများဖြင့် အဆက်မပြတ် ဗုံးကြဲနေသောကြောင့် ဖလင်ဖွဲ့စည်းပုံမှာ အလွန်သိပ်သည်းပြီး ဖလင်အလွှာ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်။ အိုင်းယွန်းအလင်းတန်း၏စွမ်းအင် E သည် ≤ 500eV ဖြစ်သည်။ အသုံးများသော အိုင်းယွန်းရင်းမြစ်များ ပါဝင်သည်- Kauffman အိုင်းယွန်းအရင်းအမြစ်၊ Hall ion ရင်းမြစ်၊ anode အလွှာအိုင်းယွန်းရင်းမြစ်၊ အခေါင်းပေါက် cathode Hall ion အရင်းအမြစ်၊ ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်း အိုင်းယွန်းရင်းမြစ် စသည်တို့ဖြစ်သည်။
စာတိုက်အချိန်- ဇွန်-၃၀-၂၀၂၃