反応性マグネトロンスパッタリングとは、スパッタリング工程において、スパッタリングされた粒子と反応する反応性ガスを供給して化合物膜を生成する方法である。この方法では、スパッタリングされた化合物ターゲットと同時に反応性ガスを供給することができ、また、スパッタリングされた金属または合金ターゲットと同時に反応性ガスを供給することで、所定の化学比の化合物膜を作製することもできる。化合物膜を作製するための反応性マグネトロンスパッタリングの特徴は以下のとおりである。
（１）反応性マグネトロンスパッタリングに使用されるターゲット材料（単一元素ターゲットまたは多元素ターゲット）および反応ガスは高純度を容易に得ることができ、高純度化合物膜の作製に有利である。
（２）反応性マグネトロンスパッタリングでは、成膜プロセスのパラメータを調整することにより、化合物膜の化学比または非化学比を調製することができ、膜の組成を調整することによって膜の特性を制御するという目的を達成することができる。
（３）反応性マグネトロンスパッタリング成膜プロセスでは、基板の温度は一般的にそれほど高くなく、成膜プロセスでは通常、基板を非常に高い温度まで加熱する必要がないため、基板材料に対する制約が少ない。
（４）反応性マグネトロンスパッタリングは、大面積の均質な薄膜の作製に適しており、1台の装置で年間100万平方メートルのコーティングを生産できる工業生産が可能となる。多くの場合、スパッタリング中の反応性ガスと不活性ガスの比率を変えるだけで、膜の性質を変えることができる。例えば、膜を金属から半導体や非金属に変えることができる。
――この記事には真空コーティング機メーカー広東振華がリリース
投稿日時：2023年8月31日