ʻO ke ʻano o ka reactive magnetron sputtering, ua hoʻolako ʻia ke kinoea reactive e hana me nā ʻāpana sputtering i ke kaʻina hana o ka sputtering e hana i kahi kiʻiʻoniʻoni hui. Hiki iā ia ke hoʻolako i ke kinoea reactive e hana me ka pahuhopu hui sputtering i ka manawa like, a hiki nō hoʻi ke hoʻolako i ke kinoea reactive e hana me ka metala sputtering a i ʻole ka pahuhopu alloy i ka manawa like e hoʻomākaukau i kahi kiʻiʻoniʻoni hui me kahi ratio kemika i hāʻawi ʻia. ʻO nā ʻano o ka reactive magnetron sputtering e hoʻomākaukau i nā kiʻiʻoniʻoni hui:
(1) ʻO nā mea i hoʻohana ʻia no ka reactive magnetron sputtering (hoʻokahi element target a i ʻole multi-element target) a me nā kinoea hopena e maʻalahi ke loaʻa i ka maʻemaʻe kiʻekiʻe, kahi mea e kūpono ai i ka hoʻomākaukau ʻana o nā kiʻiʻoniʻoni hui maʻemaʻe kiʻekiʻe.
(2) I ka reactive magnetron sputtering, ma ka hoʻoponopono ʻana i nā palena hana deposition, hiki ke hoʻomākaukau ʻia ka lakio kemika a i ʻole ka lakio non-kemika o nā kiʻiʻoniʻoni hui, i mea e hoʻokō ai i ke kumu o ka hoʻoponopono ʻana i nā ʻano kiʻiʻoniʻoni ma ka hoʻoponopono ʻana i ka haku mele ʻana o ke kiʻiʻoniʻoni.
(3) ʻAʻole kiʻekiʻe loa ka mahana o ka substrate i ka wā o ke kaʻina hana hoʻoheheʻe magnetron reactive, a ʻo ke kaʻina hana hana kiʻiʻoniʻoni ʻaʻole pono e hoʻomehana ʻia ka substrate i nā mahana kiʻekiʻe loa, no laila he emi nā kapu ma ka mea substrate.
(4) He kūpono ka reactive magnetron sputtering no ka hoʻomākaukau ʻana i nā ʻili lahilahi homogeneous nui, a hiki ke hoʻokō i ka hana ʻoihana me ka hoʻopuka makahiki o hoʻokahi miliona mika kuea o ka uhi ʻana mai kahi mīkini hoʻokahi. I nā hihia he nui, hiki ke hoʻololi ʻia ke ʻano o ke kiʻiʻoniʻoni ma ka hoʻololi wale ʻana i ka lakio o ke kinoea reactive i ke kinoea inert i ka wā o ka sputtering. No ka laʻana, hiki ke hoʻololi ʻia ke kiʻiʻoniʻoni mai ka metala i ka semiconductor a i ʻole ka non-metal.
——Ua loaʻa i kēia ʻatikalamea hana mīkini uhi hakahakaUa hoʻokuʻu ʻia ʻo Guangdong Zhenhua
Ka manawa hoʻouna: Aug-31-2023