Ang reactive magnetron sputtering nagpasabot nga ang reactive gas gisuplay aron mo-react sa mga sputtering particle sa proseso sa sputtering aron makahimo og compound film. Mahimo kining mohatag og reactive gas aron mo-react sa sputtering compound target sa samang higayon, ug mahimo usab nga mohatag og reactive gas aron mo-react sa sputtering metal o alloy target sa samang higayon aron maandam ang compound film nga adunay gihatag nga chemical ratio. Ang mga kinaiya sa reactive magnetron sputtering aron maandam ang compound films mao ang:
(1) Ang mga target nga materyales nga gigamit para sa reactive magnetron sputtering (single element target o multi-element target) ug mga reaction gas dali ra makakuha og taas nga kaputli, nga makatabang sa pag-andam sa mga high-purity compound films.
(2) Sa reactive magnetron sputtering, pinaagi sa pag-adjust sa mga parameter sa proseso sa deposition, ang chemical ratio o non-chemical ratio sa mga compound film mahimong maandam, aron makab-ot ang katuyoan sa pag-regulate sa mga kinaiya sa film pinaagi sa pag-adjust sa komposisyon sa film.
(3) Ang temperatura sa substrate kasagaran dili kaayo taas atol sa reactive magnetron sputtering deposition process, ug ang film forming process kasagaran dili magkinahanglan nga ipainit ang substrate sa taas kaayo nga temperatura, busa adunay gamay nga mga restriksyon sa materyal sa substrate.
(4) Ang reactive magnetron sputtering angay alang sa pag-andam sa mga homogenous thin films sa daghang lugar, ug makab-ot ang industriyalisadong produksiyon nga adunay tinuig nga output nga usa ka milyon metro kwadrado nga coating gikan sa usa ka makina. Sa daghang mga kaso, ang kinaiya sa film mahimong mausab pinaagi lamang sa pag-usab sa ratio sa reactive gas ngadto sa inert gas atol sa sputtering. Pananglitan, ang film mahimong mausab gikan sa metal ngadto sa semiconductor o non-metal.
——Kini nga artikulo adunaytiggama og vacuum coating machineGipagawas ang Guangdong Zhenhua
Oras sa pag-post: Agosto-31-2023