(1) Sputtergas. Das Sputtergas sollte eine hohe Sputterausbeute aufweisen, gegenüber dem Targetmaterial neutral, kostengünstig und leicht zu erhalten sein und eine hohe Reinheit aufweisen. Im Allgemeinen ist Argon das ideale Sputtergas.
(2) Sputterspannung und Substratspannung. Diese beiden Parameter beeinflussen maßgeblich die Eigenschaften des Films. Die Sputterspannung beeinflusst nicht nur die Abscheidungsrate, sondern auch die Struktur des abgeschiedenen Films. Das Substratpotential beeinflusst direkt den Elektronen- bzw. Ionenfluss. Ist das Substrat geerdet, wird es von äquivalenten Elektronen bombardiert; ist das Substrat aufgehängt, so liegt im Bereich der Glimmentladung ein leicht negatives Potential gegenüber dem Erdpotential V1 vor, während das Potential V2 des Plasmas um das Substrat herum höher ist als das Substratpotential. Dies führt zu einem gewissen Grad an Elektronen- und Ionenbombardement, was wiederum Veränderungen der Filmdicke, -zusammensetzung und anderer Eigenschaften zur Folge hat: Wird an das Substrat gezielt eine Vorspannung angelegt, sodass die elektrische Aufnahme von Elektronen bzw. Ionen der Polarität entspricht, kann dies nicht nur das Substrat reinigen und die Filmhaftung verbessern, sondern auch die Filmstruktur verändern. Bei der Hochfrequenz-Sputterbeschichtung erfolgt die Vorbereitung der Leitermembran plus Gleichstromvorspannung: die Vorbereitung der dielektrischen Membran plus Abstimmvorspannung.
(3) Substrattemperatur. Die Substrattemperatur hat einen größeren Einfluss auf die innere Spannung des Films, da die Temperatur die Aktivität der auf dem Substrat abgeschiedenen Atome direkt beeinflusst und somit die Zusammensetzung des Films, die Struktur, die durchschnittliche Korngröße, die Kristallorientierung und die Unvollständigkeit bestimmt.
–Dieser Artikel wurde veröffentlicht vonHersteller von VakuumbeschichtungsanlagenGuangdong Zhenhua
Beitragszeit: 05.01.2024