Lắng đọng hơi hóa học hữu cơ kim loại (MOCVD), nguồn vật liệu khí là khí hợp chất hữu cơ kim loại và quá trình phản ứng cơ bản của quá trình lắng đọng tương tự như CVD.
1.Khí thô MOCVD
Nguồn khí được sử dụng cho MOCVD là khí hợp chất kim loại-hữu cơ (MOC). Hợp chất kim loại-hữu cơ là hợp chất ổn định được tạo ra bằng cách kết hợp các chất hữu cơ với kim loại. Hợp chất hữu cơ có alkyl, thơm. Alkyl bao gồm methyl, ethyl, propyl và butyl. Alkyl bao gồm methyl, ethyl, propyl và butyl. Thơm bao gồm các đồng đẳng phenyl, trimethyl gali, [Ga(CH3)3], nhôm trimethyl [Al(CH3)3] để lắng đọng các vi điện tử, quang điện tử, chất bán dẫn trong ba, năm hợp chất trong lớp màng, chẳng hạn như Ga(CH3)3 và amoniac có thể có trong wafer silicon hoặc sapphire trên sự phát triển epitaxial của đèn LED trong lớp phát quang InGaN. Đèn LED tiết kiệm năng lượng hơn đèn sợi đốt vonfram 90%, đèn huỳnh quang tiết kiệm năng lượng hơn 60%. Đèn LED tiết kiệm năng lượng hơn 90% so với đèn sợi đốt vonfram và tiết kiệm năng lượng hơn 60% so với đèn huỳnh quang. Ngày nay, tất cả các loại đèn đường, đèn chiếu sáng và đèn ô tô về cơ bản đều sử dụng màng phát sáng LED do MOCVD sản xuất.
2. Nhiệt độ lắng đọng
Nhiệt độ phân hủy của hợp chất kim loại hữu cơ thấp, nhiệt độ lắng đọng thấp hơn HCVD. Nhiệt độ lắng đọng của TiN lắng đọng bằng MOCVD có thể giảm xuống khoảng 500 độ.
– Bài viết này được phát hành bởinhà sản xuất máy phủ chân khôngQuảng Đông Chấn Hoa
Thời gian đăng: 20-10-2023