1 sp Спуттер каплау үзенчәлекләре
Гадәттәге вакуум парга әйләнү белән чагыштырганда, бөтерелгән каплау түбәндәге үзенчәлекләргә ия ：
(1) Теләсә нинди матдә бөтерелергә мөмкин, аеруча югары эретү ноктасы, түбән пар басымы элементлары һәм кушылмалар. Каты булганда, металл, ярымүткәргеч, изолятор, кушылма һәм катнашма һ.б., блокмы, гранулалы материал максатчан материал буларак кулланылырга мөмкин. Оксид кебек изоляцион материалларны һәм эретмәләрне чәчкәндә аз черү һәм ваклану барлыкка килгәнгә, алар нечкә фильмнарны һәм эретелгән фильмнарны максатчан материалга охшаган, хәтта катлаулы композицияләр белән үткәргеч фильмнар әзерләү өчен кулланылырга мөмкин.
2) Бөтерелгән пленка белән субстрат арасында яхшы ябышу. Чәчелгән атомнарның энергиясе парга әйләнгән атомнардан 1-2 зурлыктагы зурлык булганлыктан, субстратка салынган югары энергия кисәкчәләренең энергия конверсиясе югары җылылык энергиясен барлыкка китерә, бу атылган атомнарның субстратка ябышуын көчәйтә. Energyгары энергияле бөтерелгән атомнарның бер өлеше төрле дәрәҗәләргә укол ясалачак, субстратта псевдо-диффузия катламы барлыкка киләчәк, анда атылган атомнар һәм субстрат материалның атомнары бер-берсе белән "начар". Моннан тыш, бөтерелгән кисәкчәләрне бомбардировать иткәндә, субстрат һәрвакыт чистартыла һәм плазма зонасында активлаштырыла, бу начар ябыштырылган атомнарны бетерә, субстрат өслеген чистарта һәм активлаштыра. Нәтиҗәдә, чәчелгән кино катламының субстратка ябышуы зурайды.
()
(4) Яхшы контрольлек һәм кино калынлыгын кабатлау. Чыгару токы һәм максат токы спуттер каплау вакытында аерым контрольдә була алганлыктан, кино калынлыгы максат токын контрольдә тотып контрольдә тотыла ала, шулай итеп, кино калынлыгының контрольдә тотылуы һәм кино калынлыгының репродуктивлыгы яхшы, һәм алдан билгеләнгән калынлык фильмы эффектив капланырга мөмкин. Моннан тыш, чүпрәк каплау зур мәйданда бердәм кино калынлыгын ала ала. Ләкин, гомуми спуттер каплау технологиясе өчен (нигездә dipole sputtering) җиһаз катлаулы һәм югары басымлы җайланма таләп итә; фильм формалаштыру тизлеге түбән, вакуум парга әйләнү тизлеге 0,1 ~ 5нм / мин, ә бөтерелү дәрәҗәсе 0,01 ~ 0,5нм / мин; субстрат температураның күтәрелүе югары һәм пычрак газ өчен куркыныч астында. Ләкин, РФ чәчү һәм магнитрон чәчү технологиясе үсеше аркасында, тиз таралышка ирешү һәм субстрат температурасын киметүдә зур уңышларга ирешелде. Моннан тыш, соңгы елларда яңа магнитон каплау ысуллары тикшерелә - планета магнитрон спуттерингына нигезләнеп - чәчелгән һава басымын минималь басымга кадәр киметү өчен.
Пост вакыты: Ноябрь-08-2022