धातूच्या सेंद्रिय रासायनिक वाष्प निक्षेपण (MOCVD), वायूयुक्त पदार्थाचा स्रोत धातूच्या सेंद्रिय संयुग वायू आहे आणि निक्षेपणाची मूलभूत प्रतिक्रिया प्रक्रिया CVD सारखीच असते.
१.MOCVD कच्चा वायू
MOCVD साठी वापरला जाणारा वायू स्रोत म्हणजे धातू-सेंद्रिय संयुगे (MOC) वायू. धातू-सेंद्रिय संयुगे हे धातूंसोबत सेंद्रिय पदार्थांचे मिश्रण करून तयार होणारे स्थिर संयुगे आहेत. सेंद्रिय संयुगेमध्ये अल्काइल, सुगंधी असते. अल्काइलमध्ये मिथाइल, इथाइल, प्रोपाइल आणि ब्यूटाइल यांचा समावेश होतो. अल्काइलमध्ये मिथाइल, इथाइल, प्रोपाइल आणि ब्यूटाइल यांचा समावेश होतो. फिनाइल होमोलोग्स, ट्रायमिथाइल गॅलियम, [Ga(CH3)3], ट्रायमिथाइल अॅल्युमिनियम [Al(CH3)3] फिल्म लेयरमधील तीन, पाच संयुगांमध्ये मायक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स, सेमीकंडक्टर्सच्या संचयनासाठी, जसे की Ga(CH3)3 आणि InGaN ल्युमिनेसेंट लेयरमध्ये LED दिव्यांच्या एपिटॅक्सियल वाढीवर सिलिकॉन वेफर किंवा नीलमणीमध्ये अमोनिया असू शकतो. LED दिवे टंगस्टन इनकॅन्डेसेंटपेक्षा 90% जास्त ऊर्जा-बचत करणारे, 60% पेक्षा जास्त ऊर्जा-बचत करणारे फ्लोरोसेंट दिवे आहेत. LED दिवे टंगस्टन इनकॅन्डेसेंट दिव्यांपेक्षा 90% जास्त ऊर्जा कार्यक्षम आहेत आणि फ्लोरोसेंट दिव्यांपेक्षा 60% जास्त ऊर्जा कार्यक्षम आहेत. आजकाल, सर्व प्रकारचे स्ट्रीट लॅम्प, लाइटिंग लॅम्प आणि ऑटोमोबाईल लॅम्प मुळात MOCVD द्वारे उत्पादित LED प्रकाश-उत्सर्जक फिल्म वापरतात.
२. निक्षेपण तापमान
सेंद्रिय धातू संयुगांचे विघटन तापमान कमी असते आणि निक्षेपण तापमान HCVD पेक्षा कमी असते. MOCVD द्वारे जमा होणाऱ्या TiN चे निक्षेपण तापमान सुमारे 500 अंशांपर्यंत कमी केले जाऊ शकते.
- हा लेख प्रकाशित केला आहेव्हॅक्यूम कोटिंग मशीन निर्माताग्वांगडोंग झेन्हुआ
पोस्ट वेळ: ऑक्टोबर-२०-२०२३