Реактивното магнетронско распрскување значи дека се снабдува реактивен гас за да реагира со распрскуваните честички во процесот на распрскување за да се произведе соединет филм. Тој може да обезбеди реактивен гас за да реагира со распрскувачката соединета цел во исто време, а исто така може да обезбеди реактивен гас за да реагира со распрскувачката метална или легирана цел во исто време за да се подготви соединет филм со даден хемиски сооднос. Карактеристиките на реактивното магнетронско распрскување за да се подготват соединети филмови се:
(1) Целните материјали што се користат за реактивно магнетронско распрскување (цел со еден елемент или цел со повеќе елементи) и реактивните гасови лесно се добиваат со висока чистота, што е погодно за подготовка на соединенија со висока чистота.
(2) При реактивно магнетронско распрскување, со прилагодување на параметрите на процесот на таложење, може да се подготви хемиски однос или нехемиски однос на соединени филмови, со цел да се постигне целта на регулирање на карактеристиките на филмот со прилагодување на составот на филмот.
(3) Температурата на подлогата генерално не е превисока за време на процесот на реактивно магнетронско распрскување на таложење, а процесот на формирање на филм обично не бара подлогата да се загрева на многу високи температури, па затоа има помалку ограничувања за материјалот на подлогата.
(4) Реактивното магнетронско распрскување е погодно за подготовка на хомогени тенки филмови со голема површина и може да се постигне индустријализирано производство со годишно производство од еден милион квадратни метри облога од една машина. Во многу случаи, природата на филмот може да се промени со едноставна промена на односот на реактивен гас кон инертен гас за време на распрскување. На пример, филмот може да се промени од метал во полупроводник или неметал.
——Оваа статија имапроизводител на машина за вакуумско обложувањеГуангдонг Женхуа ослободен
Време на објавување: 31 август 2023 година