Metallorganesch chemesch Gasoflagerung (MOCVD), d'Quell vum gasfërmegen Material ass e metallorganesche Verbindungsgas, an de Basisreaktiounsprozess vun der Oflagerung ass ähnlech wéi CVD.
1.MOCVD Réigas
Déi gasfërmeg Quell, déi fir MOCVD benotzt gëtt, ass e metallorganesche Verbindungsgas (MOC). Metallorganesch Verbindunge si stabil Verbindungen, déi duerch d'Kombinatioun vun organesche Substanzen mat Metaller hiergestallt ginn. Organesch Verbindungen hunn Alkyl-, aromatesch a ... Alkyl-Verbindungen enthalen Methyl, Ethyl, Propyl a Butyl. Alkyl-Verbindungen enthalen Methyl, Ethyl, Propyl a Butyl. Aromatesch Verbindungen enthalen Phenyl-Homologen, Trimethyl-Gallium, [Ga(CH3)3], Trimethylaluminium [Al(CH3)3] fir d'Oflagerung vu Mikroelektronik, Optoelektronik, Hallefleeder an den dräi, fënnef Verbindungen an der Filmschicht, wéi Ga(CH3)3 an Ammoniak kann an der Siliziumwafer oder Saphir um epitaktischen Wuesstum vun LED-Luuchten an der InGaN-Lumineszentschicht sinn. LED-Luuchten spueren méi wéi 90% Energie wéi Wolfram-Glühbirnen, méi wéi 60% Energiespuerlampen. LED-Luuchten si 90% méi energieeffizient wéi Wolfram-Glühbirnen a 60% méi energieeffizient wéi Fluoreszentlampen. Hautdesdaags benotzen all Zorte vu Stroosseluuchten, Beliichtungsluuchten an Autosluuchten am Fong LED-Liichtemittéierend Filmer, déi vu MOCVD produzéiert ginn.
2. Oflagerungstemperatur
D'Zersetzungstemperatur vun organesche Metallverbindungen ass niddreg, an d'Oflagerungstemperatur ass méi niddreg wéi déi vun HCVD. D'Oflagerungstemperatur vum TiN, deen duerch MOCVD ofgesat gëtt, kann op ongeféier 500 Grad reduzéiert ginn.
– Dësen Artikel gouf publizéiert vunHiersteller vu VakuumbeschichtungsmaschinnenGuangdong Zhenhua
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 20. Oktober 2023