Depositione chemica vaporis metallo-organici (MOCVD), fons materiae gaseosae est gas compositum metallo-organicum, et processus reactionis fundamentalis depositionis similis est CVD.
1. Gas crudum MOCVD
Fons gasosus ad MOCVD adhibitus est gas compositum metallo-organicum (MOC). Composita metallo-organica sunt composita stabilia producta per combinationem substantiarum organicarum cum metallis. Composita organica alkylum et aromatica habent. Alkyla methylum, ethylum, propylum et butylum includunt. Alkyla methylum, ethylum, propylum et butylum includunt. Aromatica phenylum homologos, trimethylgallium, [Ga(CH3)3], trimethylaluminium [Al(CH3)3] ad depositionem microelectronicorum, optoelectronicorum, semiconductorum in tribus, quinque compositis in strato pelliculae, ut Ga(CH3)3 Ammonia etiam in lamella silicii vel sapphiro, in incremento epitaxiali lampadum LED in strato luminescenti InGaN, inveniri potest. Lampades LED plus quam lampades incandescentes tungsteno 90%, et fluorescentes plus quam 60% energiae conservant. Lampades LED 90% et 60% efficaciores sunt quam lampades incandescentes tungsteno. Hodie, omnes genera lampadum viariarum, lampadum illuminationis, et lampadum autocinetorum plerumque pelliculas lucis emittentes LED, a MOCVD productas, utuntur.
2. Temperatura depositionis
Temperatura decompositionis compositorum metallorum organicorum humilis est, et temperatura depositionis inferior quam temperatura HCVD. Temperatura depositionis TiN per MOCVD depositum ad circiter 500 gradus reduci potest.
–Hic articulus editus est abFabricator machinae ad obducendum vacuumGuangdong Zhenhua
Tempus publicationis: Oct-XX-MMXXIII