Ысык зым жаасы жакшыртылган плазмадагы химиялык бууларды жайгаштыруу технологиясы ысык зым жаасы PECVD технологиясы катары кыскартылган дога плазмасын чыгаруу үчүн ысык зым жаасы мылтыгын колдонот.Бул технология ысык зым жаа мылтыгын ион каптоо технологиясына окшош, бирок айырмасы, ысык зым жаа тапанчасынын иондук каптоосу аркылуу алынган катуу пленка ысык зым жаа тапанчасынан чыккан жааны жарык электрон агымын колдонуп, металлды жылытуу жана буулантуу үчүн колдонулат. тигель, ал эми ысык зым жаасы жарык PECVD алмаз пленкаларын салуу үчүн колдонулган CH4 жана H2 сыяктуу реакциялык газдар менен азыктанат.Ыстык зым жаасы тапанчасынан бөлүнүп чыккан жогорку тыгыздыктагы жаа разрядына таянуу менен реактивдүү газ иондору ар кандай активдүү бөлүкчөлөрдү, анын ичинде газ иондорун, атомдук иондорду, активдүү топторду ж.б.
Ысык зым жаа PECVD түзүлүшүндө эки электромагниттик катушкалар дагы эле каптоочу бөлмөнүн сыртында орнотулуп, анодду көздөй кыймыл учурунда жогорку тыгыздыктагы электрон агымы айланып, электрон агымы менен реакция газынын ортосундагы кагылышуу жана иондошуу ыктымалдыгын жогорулатат. .Электромагниттик катушка ошондой эле бүт жайгаштыруу камерасынын плазма тыгыздыгын жогорулатуу үчүн жаа мамычасына бириге алат.Арк плазмасында бул активдүү бөлүкчөлөрдүн тыгыздыгы жогору, бул алмаз пленкаларын жана башка пленка катмарларын даярдалган материалга түшүрүүнү жеңилдетет.
——Бул макаланы Гуандун Чжэнхуа Технологиясы чыгарган, аоптикалык каптоочу машиналарды чыгаруучу.
Билдирүү убактысы: 2023-05-05